半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置的制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板中形成一沟槽，其中上述沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且上述沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；进行一外延工艺，于上述沟槽中生长一半导体材料，其中上述外延工艺利用一蚀刻成分，且其中上述第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于上述第二结晶面方向的一第二生长速率。本发明专利技术可改善元件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种于基板沟槽中形成外延 层的。
技术介绍
当例如一金属氧化物半导体场效应晶体管(以下简称M0SFET)的一半导体装置 在历经许多工艺节点的尺寸微缩时，使用高介电常数(high-k)栅极介电层和金属栅极以 形成栅极堆叠结构。可使用利用硅锗或碳化硅外延薄膜以增强载子迁移率。另外，沟道后 置积集工艺(channel-last integration schemes)也会要求低镕化温度的例如砷化铟或 锑化铟的三-五族高迁移率沟道材料，以避免形成源/漏极的高温度预算(high thermal budget)的影响。然而，形成这些应力结构和沟道后置晶体管的现行工艺无法在各方面令人 满意。举例来说，硅的η型沟道应力结构被有问题的碳化硅薄膜限制且的ρ型沟道应力结 构尚未找到解决方式。可以了解的是，利用公知外延生长工艺形成的沟道后置晶体管的外 延层面临更多的挑战。因此，在此
中，有需要一种，以克服公知技术的 缺点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术一实施例提供一种半导体装置的制造方法，上述半导体装置的 制造方法包括提供一半导体基板；于上述半导体基板中形成一沟槽，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板中形成一沟槽，其中该沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且该沟槽的一侧面具有一第二结晶面方向；以及进行一外延工艺，于该沟槽中生长一半导体材料，其中该外延工艺利用一蚀刻成分，且其中该第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于该第二结晶面方向的一第二生长速率。

【技术特征摘要】
US 2009-10-30 61/256,431;US 2010-5-20 12/784,2071.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤提供一半导体基板；于该半导体基板中形成一沟槽，其中该沟槽的一底面具有一第一结晶面方向，且该沟 槽的一侧面具有一第二结晶面方向；以及进行一外延工艺，于该沟槽中生长一半导体材料，其中该外延工艺利用一蚀刻成分，且 其中该第一结晶面方向上的一第一生长速率不同于该第二结晶面方向的一第二生长速率。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该半导体材料包括硅、硅锗、锗、 碳化硅或三-五族化合物半导体的其中之一，且其中该三-五族化合物半导体包括砷化镓 或锑化铟的其中之一，且其中该半导体基板包括硅或锗的其中之一。3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻成分包括含氯气体或含溴 气体的其中之一。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一结晶面方向包括[100]，且 其中该第二结晶面方向包括[110]或[111]的其中之一。5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该第一生长速率大于该第二生长速率。6.一种半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许俊豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71