具有虚拟结构的硅通孔及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种虚拟结构的硅通孔及其形成方法，该硅通孔包括顶部焊盘和与该顶部焊盘相连接的垂直导电柱。顶部焊盘比垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广。互连（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）焊盘至少部分地形成在顶部焊盘下面。底层下层同样至少部分地形成在顶部焊盘下面。至少有一个虚拟结构与顶部焊盘和底层下层相连接，以紧固顶部焊盘和互连焊盘。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及半导体电路领域，更具体地来说，涉及一种用于集成电路的硅 通孔(TSV)结构。
技术介绍
硅通孔(TSV)是穿过硅晶圆(silicon wafer)或者硅晶片(silicon die)的垂直 电连接。TSV技术在制造3维(3D)封装和3D集成电路过程中很重要。3D封装(例如封 装系统、芯片堆叠多芯片组件(MCM)等等)包括垂直堆叠的两个或者更多个芯片(集成电 路)，从而占据较小的空间。在绝大多数3D封装中，堆叠的芯片沿着其边缘连接在一起；该边缘连接略微增加 了封装的长度和宽度，并且通常需要在芯片之间具有插入层。在一些新式3D封装中，硅通 孔通过经由芯片主体产生垂直连接而取代了边缘连接。这样所获得的封装没有附加的长度 或者宽度。因为不需要插入层，TSV的3D封装也会比边缘连接的3D封装更平坦。3D集成电路是通过堆叠硅晶圆和/或晶片并将其垂直互连从而封装为一独立装 置的独立集成电路。通过使用TSV技术，3D集成电路可以将很多功能封装到一个小的引脚 (footprint)中去。另外，可以大幅度缩短关键的穿过装置的电路通道，使运行更快速。然而，TSV和互连焊盘之间的接口故障仍本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔（ＴＳＶ）结构，包括：顶部焊盘；垂直导电柱，与所述顶部焊盘相连接，其中，所述顶部焊盘比所述垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广；互连焊盘，与所述顶部焊盘相连接，并且至少部分地处于所述顶部焊盘下面；下层，至少部分地处于所述顶部焊盘下面；以及至少一个虚拟结构，与所述顶部焊盘和所述下层相连接，以紧固所述顶部焊盘和所述互连焊盘。

【技术特征摘要】
US 2009-10-22 61/254,043;US 2010-6-2 12/791,9781.一种硅通孔(TSV)结构，包括 顶部焊盘；垂直导电柱，与所述顶部焊盘相连接，其中，所述顶部焊盘比所述垂直导电柱的横截面 覆盖的面积更广；互连焊盘，与所述顶部焊盘相连接，并且至少部分地处于所述顶部焊盘下面； 下层，至少部分地处于所述顶部焊盘下面；以及至少一个虚拟结构，与所述顶部焊盘和所述下层相连接，以紧固所述顶部焊盘和所述互连焊盘。2.根据权利要求1所述的TSV结构，包括多个所述虚拟结构，分布在所述垂直导电柱的周围。3.根据权利要求2所述的TSV结构，其中，所述虚拟结构均勻地分布在除所述顶部焊盘 与所述垂直导电柱相连接的区域之外的所述顶部焊盘下。4.根据权利要求2所述的TSV结构，其中，所述虚拟结构分布成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志华，陈承先，郭正铮，沈文维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71