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本发明公开了一种虚拟结构的硅通孔及其形成方法，该硅通孔包括顶部焊盘和与该顶部焊盘相连接的垂直导电柱。顶部焊盘比垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广。互连（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）焊盘至少部分地形成在顶部焊盘下面。底层下层同样至少部分地形成在顶...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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