用于片上系统的衬底偏置控制电路技术方案

一种衬底偏置控制电路包括响应ＰＶＴ效应的工艺电压温度（ＰＶＴ）效应传感器。ＰＶＴ效应计量器与ＰＶＴ效应传感器相连接。ＰＶＴ效应计量器将ＰＶＴ效应进行量化并且提供输出。ＰＶＴ效应计量器包括至少一个计数器和周期信号发生器。周期信号发生器为计数器提供时间周期。偏置控制器与ＰＶＴ效应计量器相连接，偏置控制器配置为接受ＰＶＴ效应计量器的输出。偏置控制器配置为提供偏置电压。偏置控制器包括偏置电压比较器。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及集成电路，更具体地，涉及衬底偏置控制电路。
技术介绍
传统的衬底偏置控制电路使用鉴相器电路对工艺电压温度(PVT)效应进行测量。 然而，因为这种电路通常是数字电路和模拟电路的结合体，所以难以将这样的电路集成在 片上系统(SOC)设计中。另外，随着集成电路尺寸的减小，这样的电路难以转换到其他技术 节点。因此，大家期望得到新式的衬底偏置控制电路。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种衬底偏置控制电路，包括工艺电压温度 (PVT)效应传感器，用于响应PVT效应；PVT效应计量器，与PVT效应传感器相连接，用于量 化PVT效应以提供输出，PVT效应计量器包括至少一个计数器，以及周期信号发生器，用于 为至少一个计数器提供时间周期；以及偏置控制器，配置为接收PVT效应计量器的输出并 提供第一偏置电压，偏置控制器包括第一偏置电压比较器。其中，偏置控制器配置为提供第二偏置电压。其中，偏置控制器进一步包括第二偏置电压比较器。其中，第二偏置电压比较器配置为将从PVT效应计量器接收到的输出与第一阈值 进行比较，偏置控制器配置为当输出高于第一阈值时降低第二偏置电压，其中，第二偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底偏置控制电路，包括：工艺电压温度（ＰＶＴ）效应传感器，用于响应ＰＶＴ效应；ＰＶＴ效应计量器，与所述ＰＶＴ效应传感器相连接，用于量化所述ＰＶＴ效应以提供输出，所述ＰＶＴ效应计量器包括：至少一个计数器，以及周期信号发生器，用于为所述至少一个计数器提供时间周期；以及偏置控制器，配置为接收所述ＰＶＴ效应计量器的输出并提供第一偏置电压，所述偏置控制器包括第一偏置电压比较器。

【技术特征摘要】
US 2009-10-22 61/254,055;US 2010-6-4 12/793,8841.一种衬底偏置控制电路，包括工艺电压温度(PVT)效应传感器，用于响应PVT效应；PVT效应计量器，与所述PVT效应传感器相连接，用于量化所述PVT效应以提供输出，所 述PVT效应计量器包括至少一个计数器，以及周期信号发生器，用于为所述至少一个计数器提供时间周期；以及偏置控制器，配置为接收所述PVT效应计量器的输出并提供第一偏置电压，所述偏置 控制器包括第一偏置电压比较器。2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述PVT效应传感器包括第一环形振荡器，并且 所述第一环形振荡器与所述至少一个计数器的第一计数器相连接，所述第一计数器在所述 时间周期内提供所述第一环形振荡器的第一计数值。3.根据权利要求2所述的电路，其中，所述PVT效应传感器进一步包括第二环形振荡 器，与所述至少一个计数器的第二计数器相连接，所述第二计数器在所述时间周期内提供 所述第二环形振荡器的第二计数值，所述PVT效应计量器进一步包括计数比较器，用于比 较所述第一计数值和所述第二计数值，并且用于选择所述第一计数值或者所述第二计数值 作为所述PVT效应计量器的输出。4.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第一偏置电压比较器配置为将从所述PVT 效应计量器接收到的输出与第一阈值进行比较，所述偏置控制器配置为当所述输出高于所 述第一阈值时增加所述第一偏置电压，其中，所述第一偏置电压被提供至PMOS晶体管的衬 底。5.根据权利要求4所述的电路，其中，所述第一偏置电压比较器配置为将从所述PVT效 应计量器接收到的输出与第二阈值进行比较，所述第二阈值低于所述第一阈值，所述偏置 控制器配置为当所述输出低于所述第二阈值时降低所述第一偏置电压。6.根据权利要求1所述的电路，其中，所述偏置控制器配置为提供第二偏置电压。7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述偏置控制器进一步包括第二偏置电压比较ο8.根据权利要求7所述的电路，其中，所述第二偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：汲世安，沈学聪，李芷岩，李云汉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]