熔丝结构制造技术

本发明专利技术公开了熔丝结构，依据一实施例，该熔丝结构包括阳极、阴极、熔断体设置于阳极与阴极之间，以及多个阴极连接器耦接至阴极，每个阴极连接器等于或大于耦接至有源元件的接触窗的最小特征尺寸的约两倍。本发明专利技术的熔丝结构更坚固耐用，能够降低在公知的单一接触窗中被隔绝的大电流，并使得熔丝结构具有更强健的电子迁移能力，使得接触窗内或上方的金属较不可能迁移至熔断体，并使得熔丝结构短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及熔丝结构及其形成方法，尤其涉及在半导体元件中的电性熔丝及其形 成方法。
技术介绍
在半导体工业上，熔丝元件因为各种目的而被广泛地使用在集成电路中，例如作 为存储器修复、模拟电阻器调整以及芯片识别。举例来说，在相同的芯片上以多余的存储 单元取代有缺陷的存储单元，可以使得存储器的制造产率显著地增加。使用激光束切断 的熔丝称为激光熔丝(laser fuse)，借由通过电流而切断或烧断的熔丝则称为电性熔丝 (electrical fuse)或电子熔丝(e-fuse)。经由在具有多重可能用途的集成电路内选择性 地烧断熔丝，可以更经济地制造出一般的集成电路设计，并且适合于各种客制用途。电子熔丝可以并入集成电路的设计中，其中熔丝被选择性地烧断，例如借由通过 足够量的电流，使得熔断体(fuse link)产生电子迁移或熔融，因而形成更具有阻抗的路径 或开路(open circuit)。然而，当大的电流穿过熔丝时，在传统的熔丝的阴极接触窗会产生 问题，传统的阴极接触窗通常会对齐熔断体的轴并靠近熔断体，并且具有非常小的接触面 积，因为传统的阴极接触窗靠近且对齐熔断体，熔断体与阴极接触窗之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔丝结构，包括：一阳极；一阴极；一熔断体，介于该阳极与该阴极之间；以及多个阴极连接器耦接至该阴极，其中每个阴极连接器等于或大于一接触窗的一最小特征尺寸的两倍，该接触窗耦接至一有源元件。

【技术特征摘要】
US 2009-10-30 61/256,792;US 2010-2-26 61/308,588;U1.一种熔丝结构，包括一阳极；一阴极；一熔断体，介于该阳极与该阴极之间；以及多个阴极连接器耦接至该阴极，其中每个阴极连接器等于或大于一接触窗的一最小特 征尺寸的两倍，该接触窗耦接至一有源元件。2.如权利要求1所述的熔丝结构，其中每个阴极连接器介于该接触窗的该最小特征尺 寸的两倍至四倍之间，该接触窗耦接至该有源元件。3.如权利要求1所述的熔丝结构，还包括多个阳极连接器耦接至该阳极，其中每个阳 极极连接器等于或大于该接触窗的该最小特征尺寸的一倍，该接触窗耦接至该有源元件。4.如权利要求3所述的熔丝结构，其中每个阳极连接器介于该接触窗的该最小特征尺 寸的一倍至两倍之间，该接触窗耦接至该有源元件。5.如权利要求1所述的熔丝结构，其中该熔断体的宽度等于或大于一栅极电极或一金 属线宽度的一最小特征尺寸的一倍。6.如权利要求5所述的熔丝结构，其中该熔断体的该宽度介于该栅极电极或该金属线...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴显扬，龚威菖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71