半导体装置制造方法及图纸

技术编号:4032845 阅读:137 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种半导体装置。在利用IC测试仪确认熔丝的熔断情况时,由于只进行电测量,因此无法测量该熔断面之间的间隙。在因熔断布线时施加应力的偏差等因素导致熔断面间隙很小的情况下,存在熔断面因受到温度应力、复原力(回复至原来连接状态的力)等的作用而重新结合等可靠性方面的问题。本发明专利技术的半导体装置包括:熔丝,通过对该熔丝通以额定电流以上的电流,能够使该熔丝的导体部分熔断;第1监控布线以及第2监控布线,其用于监控上述导体部分的熔断情况,该半导体装置的上述第1监控布线以及第2监控布线在自上述导体部分中央部离开一定距离的位置上与该导体部分相连。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置以及熔丝的熔断方法,特别是具有电流熔断式熔丝的半导 体装置以及熔丝的熔断方法。
技术介绍
在近年来的半导体装置中,为了提高半导体装置的通用性,通常不改变半导体装 置的屏蔽状态、而是通过使设置在半导体装置内部的熔丝熔断,从而改变接线信息,由此改 变半导体的状态设定。在熔丝的熔断处理中,为了通过切断半导体装置内的一部分布线而改变接线信 息,设置有熔丝图案等布线熔断电路。对该布线熔断电路的两端施加电应力,从而使布线熔 断电路电气性地断开,由此改变接线状态。图1是以往采用的普通熔丝的熔断示意图。熔丝包括直线状的导体部分和设置在 该导体部分两端的熔丝引出焊盘(PAD),将两端的焊盘分别视作焊盘1、焊盘2,在焊盘1与 焊盘2之间形成有导体部分3。导体部3被设计的很细,通过增加导体部分3的局部电流密 度,能够使导体部分3发热,从而用比较小的电流使导体部分3熔断。图1(a)表示导体部 分3熔断前的状态,在通电后该导体部分3熔断。根据情况的不同,有时也会出现如图1(b) 所示的情况,即、虽然导体部分3熔断,但熔断面之间的距离很小。图1(c)表示导体部分3 完全熔断的情况。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置包括:熔丝,通过对该熔丝通以额定电流以上的电流,能够使该熔丝的导体部分熔断;第1监控布线以及第2监控布线,其用于监控上述导体部分的熔断情况;上述第1监控布线以及第2监控布线分别在自上述导体部分中央部离开一定距离的位置上与该导体部分相连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:新井启之
申请(专利权)人:三洋电机株式会社三洋半导体株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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