【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及集成电路结构和方法，更具体地涉及电致熔丝及其编 程工艺。
技术介绍
在半导体行业中，为了多种目的，熔丝单元被广泛应用于集成电路， 如提高制造成品率或定制通用集成电路。例如，对熔丝编程以用芯片上的 冗余电路替换在同一芯片上有缺陷的电路，能够显著地提高制造成品率。 由于存储器芯片由许多相同的存储单元和存储单元组构成，因此替换有缺 陷的电路对于提高存储器芯片的制造成品率是特别有用的。通过有选择地 烧断集成电路中的熔丝，使集成电路具有多种可能的应用，从而可经济地 制造适于多种用户使用的通用集成电路。通常，有两种不同的方法以断开熔丝。 一种方法是，通过激光束的作 用进行断开，这种熔丝称为激光熔丝。为了迅速烧断形成在芯片中的激光 熔丝，通常在钝化层中设置开口，从而允许激光直接接近要被断开的熔丝 金属链。但是，为了避免在钝化层中切出深的开口 ，因此优选地在接近芯 片表面处设置激光熔丝，这会增加工艺的复杂性并降低激光修复率。然而， 例如，在接近芯片表面处设置熔丝元件会将导致安全关注点放在所设计的集成电路(IC)的知识产权保护上。在另一种方法中，通过由电流产生的...
【技术保护点】
一种电致熔丝，包括： 高层导电层，其包括具有第一熔点的第一导电材料； 低层多晶硅层，其具有第一区域和第二区域； 第一接触孔，其包括具有高于所述第一熔点的第二熔点的第二导电材料，所述第一接触孔连接到所述高层导电层以及所述低层 多晶硅层的第一区域，其中所述第一接触孔的底部被消耗，以及 所述第二导电材料和所述低层多晶硅层的第二区域上的硅化物的聚集物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑新立，李佳蓉，侯锦珊，陈伟铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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