【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，具体地讲，涉及具有一个集成加热元件的反熔断器(antifuse)结构以及编程其状态的方法。
技术介绍
在集成电路器件和工艺的领域内，电控熔断器被用于多个目的，包括可用程序改变的电路连接，或用多余的电路元件来代替有缺陷的电路元件。一种电控熔断器，即一种所谓“反熔断器”(antifuse)是这样一种器件，它有两个导体以及其间的电介质层，当对导体加以足够大的电压和电流时，电介质层就被击穿。反熔断器的电介质层的电阻给出反熔断器的“通”或“断”状态。有一层氮化硅(SiN)，“氧化栅”，也即用栅氧化形成工艺所形成的二氧化硅(SiO2)或氧化硅-氮氧化硅-氧化硅(ONO)电介质层的反熔断器的典型的“断”(击穿前)电阻是大于1GM。在击穿后，电介质层的电阻显著地减小，表明处于“通”状态。这样，用一个电阻测量电路可以读出“反熔断器”的通断状态。当前，需要一个高的电压以及几个毫安的电流以完全击穿在一个集成电路上的反熔断器的电介质。所需的这样高的电流就对反熔断器及其引线加上了最小尺寸的限制，从而要求较大的集成电路面积来实现，同时对新芯片的生产检测和修复的流...
【技术保护点】
一种反熔断器结构，包含：一适合接收一第一电势（Ｖ↓［１］）的第一导体；邻近该第一导体形成的一电介质层；以及一邻近该电介质层形成的第二导体，它通过该电介质层而与第一导体隔开，该第二导体适合接收一第二电势（Ｖ↓［２］）和 一第三电势（Ｖ↓［３］），并响应Ｖ↓［２］和Ｖ↓［３］来加热该电介质层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴炳柱，伊耶尔苏布拉曼年，库坦达拉曼昌德拉塞卡拉，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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