【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体元件的一种熔丝结构,特别是涉及半导体元件中一种具有多重区块的熔丝结构。随着持续增加的尺寸,半导体元件变得更容易受硅晶体中缺陷或杂质所影响。单一二极管或晶体管的失效往往构成整个芯片的缺陷。为了解决这个问题,在半导体元件中常形成一些包括连接熔丝的冗余电路。如果在制作过程之后发现一个电路具有缺陷,可以用一个熔丝转换以将其禁能,并至能一冗余电路。对于内存元件,缺陷存储单元可以在其地址重新设置一个好的存储单元。在集成电路中使用熔丝的另一个理由是可以将例如是识别码的控制字符永久地程序化至芯片中。通常,熔丝是由复晶硅或金属线所形成的,但是,熔丝又可依照其被烧断(blown)成断路(open)之方式,而分为激光熔丝(Laser fuse),乃利用激光而以激光束来割断熔丝,与电子熔丝(Electronic fuse),经由电流通入烧熔或烧断熔丝而成断路;电子熔丝多应用于如EEPROM的存储元件中,而激光熔丝多应用于如DRAM的存储元件中。对于激光熔丝的设计而言,首先,一般的集成电路最上层都覆盖有氮化硅、二氧化硅或两者堆栈而成的保护层,在以激光烧熔复晶硅熔丝或金属熔丝时,为避免损及该保护层,故以激光方式烧熔熔丝通常需要在顶层中形成一开口,且激光需准确对准熔丝而不得摧毁其它邻近元件,但是,仍常常因能量过强而对上下层的保护层形成凹洞等损伤。对于复晶硅熔丝而言,需施予一电压而通入一足够大的电流以使其加热,并使熔丝断裂开来(rupture),但是这种技术需要施予相当大的电压以烧熔熔丝;而随着集成电路的尺寸日渐缩小,则能提供的电压也日益变小,所以设计在复晶硅熔 ...
【技术保护点】
一种半导体元件的熔丝,包括:一第一绝缘层,在一半导体基底上形成;一熔丝层,形成在该第一绝缘层上,其中该熔丝层具有多个区块,包括一第一区块、一第二区块、一第三区块、一第四区块与连接第一区块与第二区块的一第一连结区块、连接第二区 块与第三区块的一第二连结区块,以及连接第三区块与第四区块的一第三连结区块,其中第二区块与第三区块位于第一区块与第四区块之间,第二区块靠近第一区块,第三区块靠近第四区块,而各区块除了以各连结区块相连接外,彼此并不相连,而任一连结区块的宽度小于任一区块的宽度;一第二绝缘层,在该熔丝层上形成,其中该第二绝缘层包括多个介层插塞;一第一顶部金属层,形成在该第二绝缘层上而与该各介层插塞相连接,其中该第一顶部金属层通过该各介层插塞而与熔丝层的该第一区块电相连接;以及 一第二顶部金属层,形成在该第二绝缘层上而与该各介层插塞相连接,其中该第二顶部金属层通过该各介层插塞而与熔丝层的该第四区块电相连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的熔丝,包括一第一绝缘层,在一半导体基底上形成;一熔丝层,形成在该第一绝缘层上,其中该熔丝层具有多个区块,包括一第一区块、一第二区块、一第三区块、一第四区块与连接第一区块与第二区块的一第一连结区块、连接第二区块与第三区块的一第二连结区块,以及连接第三区块与第四区块的一第三连结区块,其中第二区块与第三区块位于第一区块与第四区块之间,第二区块靠近第一区块,第三区块靠近第四区块,而各区块除了以各连结区块相连接外,彼此并不相连,而任一连结区块的宽度小于任一区块的宽度;一第二绝缘层,在该熔丝层上形成,其中该第二绝缘层包括多个介层插塞;一第一顶部金属层,形成在该第二绝缘层上而与该各介层插塞相连接,其中该第一顶部金属层通过该各介层插塞而与熔丝层的该第一区块电相连接;以及一第二顶部金属层,形成在该第二绝缘层上而与该各介层插塞相连接,其中该第二顶部金属层通过该各介层插塞而与熔丝层的该第四区块电相连接。2.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该熔丝层至少包括一复晶硅层与一金属硅化合物层。3.如权利要求2所述的半导体元件之熔丝,其中金属硅化合物选自于下列群组包括硅化钛、硅化钴、硅化镍或硅化铂。4.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该熔丝层至少包括一复晶硅层。5.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该熔丝层至少包括一金属层。6.如权利要求5所述的半导体元件的熔丝,其中金属选自于下列群组包括钛、钨、铝与铜。7.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该熔丝层至少包括一金属合金层。8.如权利要求7所述的半导体元件的熔丝,其中金属合金所使用的金属选自于下列群组包括钛、钨、铝与铜。9.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该第一绝缘层至少包括一氧化硅层。10.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该第二绝缘层至少包括一氧化硅层。11.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该第一顶部金属层至少包括一金属层,而金属是选自于下列群组包括钛、钨、铝与铜。12.如权利要求1所述的半导体元件的熔丝,其中该第二顶部金属层至少包括一金属层,而金属是选自于下列群组包括钛、钨、铝与铜。13.一种半导体元件的熔丝,包括一第一绝缘层,在一半导体基底上形成;一熔丝层,形成在该第一绝缘层上,其中该熔丝层具有多个区块与多个连结区块,其中任一个连结区块连接与其相邻的两个区块,而各区块除了以各连结区块相连接外,彼此并不相连,而...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑钧文,梁佳文,李瑞池,薛胜元,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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