一种中空结构熔断器的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种中空结构熔断器的制造方法，包括如下步骤：A、将一整片金属加工制成多个相连的金属部，金属部包括两端部和位于两端部之间的两个具有一定间隙的连接体，将一导电体连接于两个连接体之间；金属部和导电体形成待切割部；B、分别整板注塑形成上盖板和下盖板，上盖板和/或下盖板具有大凹槽，上盖板的大凹槽和/或下盖板的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，相邻的大凹槽在至少一个方向上设有具有通透分割区；C、将待切割部放置于上盖板和下盖板组成的壳体中，并整板粘合上盖板和下盖板，连接体横跨小凹槽且导电体悬挂在大凹槽组成的空腔中；D、沿通透分割区切割上盖板和下盖板，并将位于壳体外的待切割部弯折形成外电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了，包括如下步骤：A、将一整片金属加工制成多个相连的金属部，金属部包括两端部和位于两端部之间的两个具有一定间隙的连接体，将一导电体连接于两个连接体之间；金属部和导电体形成待切割部；B、分别整板注塑形成上盖板和下盖板，上盖板和/或下盖板具有大凹槽，上盖板的大凹槽和/或下盖板的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，相邻的大凹槽在至少一个方向上设有具有通透分割区；C、将待切割部放置于上盖板和下盖板组成的壳体中，并整板粘合上盖板和下盖板，连接体横跨小凹槽且导电体悬挂在大凹槽组成的空腔中；D、沿通透分割区切割上盖板和下盖板，并将位于壳体外的待切割部弯折形成外电极。【专利说明】
本专利技术属于电路保护元件领域，尤其涉及一种中空结构熔断器的工业制造方法。
技术介绍
表面贴装熔断器主要两大类型：中空结构熔断器及固体器件型熔断器。中空结构 熔断器，熔丝（导线）悬挂在中空的外壳中。熔丝的两端与端头电极以不同的方式固定，具 有电阻小、耗能低等特点。 美国专利US2010245025(A1)揭示的一种类型熔断器包括一个外壳，两个端头金 属帽，及一根延伸至外壳及端帽外的熔丝，熔丝在端头金属帽外表面弯曲形成电连接，熔断 器在焊接到PCB板上时，焊接使用的锡膏将熔丝、端头金属帽以及PCB板连接成一体。此种 熔断器采用外壳与金属帽之间逐个组装而成，生产效率较低。 另一种，多层压和结构保险丝，将熔丝悬置基体内，基体封装采用粘结剂压合固化 方式，空腔部分采用机加工方式或多层叠压（CN1848351)形成，繁琐，成本较高。 【专利技术内容】 有鉴于此，本专利技术的目的在于提供，以解决现有 技术工序复杂，生产效率低的问题。 为实现上述目的，本专利技术第一方面提供了，所述 方法包括如下步骤： A、将一整片金属加工制成多个相连的待切割部； B、分别整板注塑形成具有多个相连的上外壳的上盖板和具有多个相连的下外壳 的下盖板，所述上外壳和/或所述下外壳具有大凹槽，所述上外壳的大凹槽和/或所述下外 壳的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，所述上外壳相连的地方和所述下外壳相连的地方均 具有通透分割区； C、将所述待切割部放置于所述上外壳和所述下外壳组成的壳体中，并整板粘合所 述上盖板和所述下盖板，所述待切割部的中间部分横跨所述小凹槽且其中段悬挂在所述上 外壳的大凹槽和/或所述下外壳的大凹槽组成的空腔中； D、沿所述通透分割区分割所述上盖板和所述下盖板，并将位于所述壳体外的待切 割部弯折形成外电极。 在第一方面的一种优选方式中，所述A步骤还包括对所述待切割部的中间部分进 行局部电镀。 本专利技术第二方面还提供了另，所述方法包括如下 步骤： A、将一整片金属加工制成多个相连的金属部，所述金属部包括两端部和位于两端 部之间的两个具有一定间隙的连接体，将一导电体连接于两个所述连接体之间；所述金属 部和所述导电体形成待切割部； B、分别整板注塑形成具有多个相连的上外壳的上盖板和具有多个相连的下外壳 的下盖板，所述上外壳和/或所述下外壳具有大凹槽，所述上外壳的大凹槽和/或所述下外 壳的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，所述上外壳相连的地方和所述下外壳相连的地方均 具有通透分割区； C、将所述待切割部放置于所述上外壳和所述下外壳组成的壳体中，并整板粘合所 述上盖板和所述下盖板，所述连接体横跨所述小凹槽且所述导电体悬挂在所述上外壳的大 凹槽和/或所述下外壳的大凹槽组成的空腔中； D、沿所述通透分割区切割所述上盖板和所述下盖板，并将位于所述壳体外的待切 割部弯折形成外电极。 在第二方面的一种优选方式中，所述A步骤中采用高温焊锡、电容脉冲放电点焊 或超声波焊将所述导电体连接于两个所述连接体之间。 在第二方面的一种优选方式中，所述导电体为直丝型或螺旋形。 在第一或第二方面的一种优选方式中，所述A步骤还包括对所述待切割部的端部 进行金属表面电镀。 在第一或第二方面的一种优选方式中，所述对整片金属加工是通过冲压、光刻或 蚀刻的方式进行的。 在第一或第二方面的一种优选方式中，所述D步骤包括： D1、沿同一方向的所述通透分割区切割所述上盖板和所述下盖板； D2、将位于所述壳体外的待切割部整板弯折形成外电极； D3、沿与D1中的方向相垂直的方向分割所述上盖板和所述下盖板，形成单个熔断 器。 优选的，所述D3步骤为沿与D1中的方向相垂直的方向锣边或切割所述上盖板和 所述下盖板及对应位置处的待切割部，形成单个熔断器。 在第一或第二方面的一种优选方式中，所述A步骤中将一整片金属加工制成多个 相连的金属线框。 由此可见，本专利技术实施例提供的中空结构熔断器的制造方法，上下外壳注塑成型， 提高了效率，且外电极由金属线框端子直接弯折形成，解决了套帽连接及金属化的繁琐。而 且采用整板注塑的方式能够一次制造多个熔断器，相比现有技术提高了生产效率。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术 的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施例一单个待切割部的结构图； 图2本专利技术实施例一的多个相连的待切割部的结构图； 图3为本专利技术实施例一注塑形成的上下盖板的结构图； 图4为本专利技术实施例一中待切割部与上/下盖板组合后的平面图； 图5为本专利技术实施例一上下盖板粘合后的部分结构图； 图6为本专利技术实施例一形成的单个熔断器的结构图； 图7本专利技术实施例一的流程图； 图8本专利技术实施例二的流程图； 图9为本专利技术实施例二多个相连的金属部的结构图； 图10本专利技术实施例二的待切割部与上/下盖板组合后的平面图； 图11为本专利技术实施例二上下盖板粘合后的部分结构图； 图12为本专利技术实施例二的单个熔断器的结构图。 【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例 中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是 本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员 在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术实施例一提供了一种制造中空结构熔断器的方法，参见图7,该方法具体包 括如下步骤： S11、将一整片金属加工制成多个相连的待切割部。 本专利技术实施例中，该待切割部可以为两端粗中间细的金属线框。 如图1所示，即为单个待切割部的结构图。其中两端部用于后续形成端子11，中间 部分用于后续形成熔丝12。 将一整片金属采用冲压、光刻或蚀刻的方式进行加工，可形成如图2所示的多个 相连的待切割部1。其中的13用于后续进行切割。当然，图1、2只是示出了本专利技术其中的 一种具体结构，本领域技术人员还可以想到将整片金属加工形成其他形状的待切割部。 在步骤S11中，根据不同电流及应用要求，金属片可选择不同金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中空结构熔断器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、将一整片金属加工制成多个相连的金属部，所述金属部包括两端部和位于两端部之间的两个具有一定间隙的连接体，将一导电体连接于两个所述连接体之间；所述金属部和所述导电体形成待切割部；B、分别整板注塑形成上盖板和下盖板，所述上盖板和/或所述下盖板具有大凹槽，所述上盖板的大凹槽和/或所述下盖板的大凹槽的相对侧壁上具有小凹槽，所述相邻的大凹槽在至少一个方向上设有具有通透分割区；C、将所述待切割部放置于所述上盖板和所述下盖板组成的壳体中，并整板粘合所述上盖板和所述下盖板，所述连接体横跨所述小凹槽且所述导电体悬挂在所述大凹槽组成的空腔中；D、沿所述通透分割区切割所述上盖板和所述下盖板，并将位于所述壳体外的待切割部弯折形成外电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翟玉玲，张海明，李向明，
申请(专利权)人：AEM科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32