集成电路的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种集成电路的制造方法，包括形成多个磁性隧道结层；蚀刻 这些磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元；以及形成一介电覆盖层在磁性 隧道结单元的多个侧壁上，其中形成介电覆盖层的步骤与蚀刻磁性隧道结层的 步骤是原处进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于半导体存储元件，且特别是有关于磁阻随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory; MRAM)元件及其希隨方法。
技术介绍
半导体使用在电子应用性商品的集成电路中，这些电子应用性商品例如 包括无线电、电视、行动电话与个人计算元件。 一种类型的半导体元件为半 导体存储元件，例如动态随机存取内存(DRAM)或闪存(Flash Memory),该二 种内存均利用电荷来存储信息。半导体存储元件的更新近的发展包括自旋电子元件(SpinElectronics),其结合,导体科技、磁性材料与元件。电子的自旋用来表示1或0的状 态，其中电子的自旋是透过他们的磁矩而非电子的电荷。 一种这样的自旋电 子元件为磁阻随机存取内存元件100，有时称为磁性随机存取内存，如图1 所示，其中该磁阻随机存取内存元件100包括定位为不同方向的导线(字线 WL与位线BL),例如在不同金属层中互相垂直。这些导线将磁性堆叠或磁 性隧道结(MTJ)102夹在中间，其中磁性堆叠或磁性隧道结102作为磁性存储 单元(magnetic memory cell)。图1示出了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路的制造方法，其特征在于，至少包括：　形成多个磁性隧道结层；　蚀刻所述磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元；以及　形成一介电覆盖层在该磁性隧道结单元的多个侧壁上，其中形成该介电覆盖层的步骤与蚀刻所述磁性隧道结层的步骤是原处进行。

【技术特征摘要】
2008.2.18 US 12/032,9731、一种集成电路的制造方法，其特征在于，至少包括形成多个磁性隧道结层；蚀刻所述磁性隧道结层，以形成一磁性隧道结单元；以及形成一介电覆盖层在该磁性隧道结单元的多个侧壁上，其中形成该介电覆盖层的步骤与蚀刻所述磁性隧道结层的步骤是原处进行。2、 根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在蚀刻所 述磁性隧道结层的步骤与形成该介电覆盖层的步骤的间隔期间，该集成电路 位于一真空环境。3、 根据权利要求2所述的集成电路的制造方法，其特征在于，蚀刻所述 磁性隧道结层的步骤与形成该介电覆盖层的步骤是在一生产机台中进行，且 该生产机台具有该真空环境，其中在蚀刻所述磁性隧道结层的步骤与形成该 介电覆盖层的步骤的间隔期间，该磁性隧道结单元位于该生产机台中。4、 根据权利要求3所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该生产机 台至少包括一第一反应室、 一第二反应室与一传送反应室，且其中蚀刻所述 磁性隧道结层的步骤是在该第一反应室中进行，形成该介电覆盖层的步骤是 在该第二反应室中进行，其中该磁性隧道结单元透过该传送反应室而从该第 一反应室传送至该第二反应室。5、 根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，还至少包括形成一硬掩膜层在所述磁性隧道结层上；以及在蚀刻所述磁性隧道结层的步骤前，蚀刻该硬掩膜层以形成一图形化硬 掩膜，其中在蚀刻该硬掩膜层的步骤与蚀刻所述磁性隧道结层的步骤的间隔 期间，该集成电路位于一真空环境。6、 根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该磁性隧 道结单元具有一内应力，且其中形成该介电覆盖层的步骤至少包括调整多个工艺条件，以在该介电覆盖层中产生另一应力。7、 根据权利要求6所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在形成该 介电覆盖层的步骤后，该磁性隧道结单元中的一总应力小于lMPa。8、 一种集成电路的制造方法，其特征在于，至少包括 提供一半导体衬底；提供一生产机台，该生产机台至少包括一第一蚀刻反应室、 一第二蚀刻 反应室以及一沉积反应室；形成一下电极层在该半导体衬底上；形成多个磁性隧道结层在该下电极层上；形成一硬掩膜层在所述磁性隧道结层上；在该第一蚀刻反应室中，蚀刻该硬掩膜层，以形成一图形化硬掩膜层； 在该第二蚀刻反应室中，蚀刻所述磁性隧道结层，以形成多个磁性隧道 结单元，其中蚀刻所述磁性隧道结层与蚀刻该掩膜幕层的步骤是原处进行；在该沉积反应室中，形成一介电覆盖层在所述磁性隧道结单元上，其中 该介电覆盖层覆盖所述磁性隧道结单元的多个侧壁，且其中蚀刻所述磁性隧 道结层的步骤与形成该介电覆盖层的步骤是原处进行；以及图形化该下电极层，以形成多个下电极位于该半导体衬底上，其中所述 下电极形成一阵列。9、 根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泳弘，王郁仁，庄育灶，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71