本发明以许多不同实施例的方式提供一种集成电路设计方法。一种示范集成电路设计方法包含：提供第一技术节点的电路的集成电路设计布局；将此电路的集成电路设计布局移转至第二技术节点；根据此电路的电性参数对移转的集成电路设计布局实施电性图案化（ｅＰ...

本发明提供一种光电装置及其制造方法，该光电装置包括一基板以及具有露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口的一介电材料，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为１的一深宽比。包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料的一底部二极管材料占据了...

本发明提供一种具有用以隔离装置的虚设结构的集成电路。此集成电路包含具有第一晶体管的第一运算元件、具有第二晶体管的第二运算元件、以及设置于第一晶体管与第二晶体管间的隔离晶体管，其中第一晶体管由第一成分所组成，第二晶体管由第一成分所组成，隔...

本发明揭露一种静态随机存取内存（ｓｔａｔｉｃ　ｒａｎｄｏｍ　ａｃｃｅｓｓ　ｍｅｍｏｒｙ，ＳＲＡＭ）宏及用以操作其的方法，静态随机存取内存宏包含：一第一电源电压；和一第二电源电压，其不同于该第一电源电压。一预充电控制器，其连接至该第二电源...

本发明揭露一种静态随机存取内存（ＳＲＡＭ）及适用于其的方法，所述静态随机存取内存包含一数据线、一反数据线以及一电流路径区域。电流路径区域包含至少二晶体管，用以在自一第一逻辑电压转移至一第二逻辑电压的期间，提供一电流路径至数据线，其中电流...

本发明公开了一种二极管，包括：一基板；一第一介电材料，包括露出该基板的一部的至少一开口；一底二极管材料，包括至少部分地设置于该开口内的一下方区以及延伸至该开口之上的一上方区，该底二极管材料包括晶格不匹配于该基板的一化合物半导体材料；一有...

本发明提供一种场效应晶体管及其栅结构，场效应晶体管的栅结构包括：一栅电极层；一栅绝缘层，位于该栅电极层之下，且于该栅电极层的相反侧上具有底脚区；以及一密封层，位于该栅结构的侧壁上，其中该密封层覆盖于该底脚区上的一较低部分的一厚度小于该密...

本发明提供一种三角积分数字至模拟转换器及其操作方法，该数字至模拟转换器包括第一级，包括三角积分噪声整形回路，其中该第一级用以接收一输入信号，该第一级包括一第一量化器，具有第一量化误差，而该第一级提供一第一级输出；第一ＤＡＣ，用以接收该第...

本发明涉及集成电路的制造方法，尤其涉及半导体元件的制造方法。制造半导体元件的示范方法包括提供一基底；形成垫氧化层于基底前侧和后侧的上方；形成硬式掩模层于基底的前侧和后侧的垫氧化层上方；及薄化基底前侧垫氧化层上方的硬式掩模层。本发明可增加...

本发明的实施例借由动态库存控制的方法与系统满足适当控制半导体产品库存的需求。该方法与系统适时修正影响库存的参数。该参数可能包括目标库存、周期时间、初制晶片、未来库存与未来货运。另外，该方法与系统收集了即时的客户需求预测来辅助生产计划与调...

本发明公开了一种高压装置及形成此高压装置的方法，其中该高压装置包含有设置在一基材中的第一掺杂型态的井区。第二掺杂型态的第一井区设置在第一掺杂型态的井区中。一隔离结构至少部分地设置在第一掺杂型态的井区中。一第一闸极电设置在隔离结构与第二掺...

本发明提供一种集成电路及其操作方法。集成电路包括耦接回授回路的电感电容（ＬＣ）槽电路。电感电容槽电路用于输出具有一峰值电压的一输出信号，峰值电压实质上地等于一振幅加上一直流（ＤＣ）电压值。回授回路用于决定该输出信号的该峰值电压是否落在一...

本发明一实施例提供一种形成浅沟槽隔离结构的方法，该方法包括：提供一基底，基底包括一顶部表面，形成一沟槽，从顶部表面延伸入基底中，其中沟槽具有一侧壁和一底部表面，形成一衬氧化层于侧壁和底部表面，于一等离子体环境中处理衬氧化层，等离子体环境...

本发明一实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底之上，该栅极堆叠包括一栅极介电层及一栅极电极；一间隙壁，形成于该栅极堆叠的侧壁上，其中该间隙壁的一顶表面高于该栅极堆叠的一顶表面；...

本发明涉及一种制造集成电路与栅极结构的方法。在此方法中，首先形成具有有限厚度的硬式掩模层于栅极层上。接着，对硬式掩模层提供一加工处理，以使硬式掩模层更能抵抗湿式蚀刻溶液。然后，对已加工的硬式掩模层和栅极提供图案化处理，以形成栅极结构。

本发明提供一种发光装置封装件及其形成方法，该发光装置封装件的形成方法包括：提供一基板；形成一发光装置于该基板上；自该基板处移除该发光装置；提供一载具晶片，该载具晶片包括用于电性连结位于该载具晶片的相对侧上构件的一第一基板穿孔插销；以及结...

本发明提供一种制造管理系统及方法。一处理单元依据一目标制造速度的一产能漏失率与一生产线中在此目标制造速度下的工作部件的数目来计算一加速能力，且依据一平均制造速度的一原始产能漏失率与生产线中在此平均制造速度下的工作部件的既定数目来计算一制...

本发明公开了一种晶片加工方法，于湿式工作台工艺中，控制切割道方位已发现当切割道定位成与水平夹角呈４５度时可改善产率及减少来自不当排除的颗粒。提供一晶片至湿式工作台设备，并浸入晶片于一溶液中。当自溶液中移出晶片时，晶片须予以垂直定位，切割...

本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合...

本发明的实施例提供一种用于自动电平控制的电路及其方法。于一实施例中，高电压ＮＭＯＳ（例如ＨＶ　ＮＭＯＳ）晶体管用于提供用在回转仪驱动回路的电阻（例如回转仪电阻）。转换自回转电流（例如电流Ｉｇｙｒｏ）且输入到锁相回路的电压（例如电压Ｖｐｉ...