本发明公开了参考电压发生器、集成电路以及操作参考电压发生器的方法，其中，该参考电压发生器包括正比于绝对温度（ＰＴＡＴ）的电流源和分压器。ＰＴＡＴ电流源能够提供与温度成正比的第一电流。分压器能够接收与第一电流成正比的第二电流。分压器能够输...

本发明揭示一种集成电路结构，包括：一半导体基底；一基底通孔电极穿过半导体基底；以及一含铜立柱（ｐｏｓｔ），位于半导体基底上方且电性连接至基底通孔电极。通过形成含铜立柱来取代焊料凸块，可使含铜立柱的厚度获得良好的控制且可低于用于将晶片接合...

本发明提供了一种集成电路装置、存储装置及其制造方法，包括具有较佳抗反向穿隧能力的浮置栅存储单元的一浮置栅结构的电路与方法。该存储装置包括一浮置栅设置于包括一浮置栅的一半导体基板之上，并形成有一电荷捕捉介电层与一控制栅。此浮置栅结构具有垂...

一种背照式图像传感器包括半导体衬底，具有正面和背面；传感器元件，上覆半导体衬底的正面而形成；以及电容器，上覆传感器元件而形成。

一种形成在钝化层中的铜柱，用以与下部的接合焊盘区域电连接，并且延伸以从钝化层中突出。保护层以自对准方式形成在铜柱的侧壁表面和顶表面。保护层是含锰氧化层、含锰氮化层或者含锰氮氧化层。

一种用于操控半导体制造的系统，包括以向或从高架提升传输系统传送晶片载体的输送机。该系统还包括交叉系统运输装置，以在输送机和天车系统之间传输晶片载体。并且，该系统还包括控制器，其被配置为输出控制信号，以控制交叉系统运输装置、输送机以及晶片...

本发明提供一种检核或执行集成电路设计数据库的方法以及集成电路检核系统。该方法包括提供存储在存储媒介的集成电路设计；提供应用规则；以及提供资料库和知识产权（ＩＰ）中实例的实例摘要。从集成电路设计数据库提取出实例级信息。执行应用规则检核于集...

一种只读存储器布局方法包括，接收设计只读存储器阵列的指令，产生只读存储器阵列的网表，产生表示半导体晶片上只读存储器阵列的实体布局的数据文件，以及存储数据文件于计算机可读取存储媒体。只读存储器阵列的指令定义第一元件的第一布局，其包括耦接至...

一种形成集成电路结构的方法，包括：在衬底的至少一部分上方形成绝缘层；在绝缘层的顶面上方形成多个半导体柱。该多个半导体柱通过绝缘层的多个部分水平隔离。该多个半导体柱配置为周期性图案。该方法进一步包括：从半导体柱的顶面和侧壁外延生长ＩＩＩ－...

本发明一实施例提供一种集成电路结构及其形成方法，该集成电路结构包括：一底裸片；一顶裸片，接合至该底裸片，其中该顶裸片具有一尺寸，小于该底裸片的一尺寸；以及一封装化合物，位于该顶裸片及该顶裸片之上，其中该封装化合物延伸至接触该顶裸片的边缘...

一种集成电路结构包括半导体衬底；栅极层叠件，上覆半导体衬底；栅极隔离件，在栅极层叠件的侧壁上；第一接触塞，具有接触栅极隔离件侧壁的内缘和与栅极层叠件的顶面相齐的顶面；以及第二接触塞，在第一接触塞的上方并接触第一接触塞。第二接触塞的截面积...

本发明提供一种集成电路、鳍式场效应晶体管及其制造方法，该鳍式场效应晶体管包括一基材及一鳍式结构于此基材上。此鳍式结构包含一沟道，位于一源极及一漏极之间，其中此源极、此漏极及此沟道具有一第一型掺杂。此沟道包含锗、锗化硅或ＩＩＩ－Ｖ族半导体...

本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一半导体芯片，包括一边角；一密封环，相邻于上述半导体芯片的边缘；一边角压力释放结构，相邻于上述边角，且实际上邻接于上述密封环，其中上述边角压力释放结构包括一第一部分，位于一顶部金属层中；一...

本发明提供一种存储器错误处理方法，该方法包括：取得一存储器中一失效区的一地址；依据该地址判断出一错误形态；若该错误形态不包括一软错误，则利用冗余技术修复该错误。由于本发明处理及修复错误的过程被控制在子系统之中，不需要与其他电路进行交握程...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物...

本发明揭示一种半导体装置的制造方法。一实施例包括一半导体晶片载板，其中为了增强静电吸盘（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　ｃｈｕｃｋ）与载板之间的库伦力（ｃｏｕｌｏｍｂｉｃ　ｆｏｒｃｅ），将导电掺杂物注入于载板内，以补偿因较薄的半导体晶片而下...

本发明公开了包含纹路化基板的装置及形成半导体装置的方法，其中一种包括纹路化基板的装置，还包括多个沟槽。所述多个沟槽各包括第一侧壁及第二侧壁，该第二侧壁位于该第一侧壁的对面方向。多个用来射光的反射器，所述多个反射器各自位于所述多个沟槽其中...

一种包括数模转换器（ＤＡＣ）电路的集成电路，ＤＡＣ电路包括至少一个第一沟道型ＤＡＣ和至少一个第二沟道型ＤＡＣ。该集成电路包括多个采样保持（Ｓ／Ｈ）电路。每个Ｓ／Ｈ电路都与一个ＤＡＣ电路连接。Ｓ／Ｈ电路能够从ＤＡＣ电路接收信号并将信号并行...

本发明提供了一种具有一对准标记的装置以及用于制作半导体组件的方法。该对准标记包括一第一部分，该第一部分具有多个第一特征部。每一第一特征部具有一第一尺寸和一第二尺寸，第一尺寸是第一方向上所测得，第二尺寸是第二方向上所测得，第二方向大体上垂...

本发明揭示一种光刻图案化方法及双重图案化方法，所述光刻图案化方法包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，其中第一阻剂图案内包括多个开口。在基底上且位于第一阻剂图案的开口内形成一第二阻剂图案，其中第二阻剂图案内包括至少一开口位于基底上。去除第...