存储器错误处理方法技术

本发明专利技术提供一种存储器错误处理方法，该方法包括：取得一存储器中一失效区的一地址；依据该地址判断出一错误形态；若该错误形态不包括一软错误，则利用冗余技术修复该错误。由于本发明专利技术处理及修复错误的过程被控制在子系统之中，不需要与其他电路进行交握程序（ｈａｎｄｓｈａｋｉｎｇ），因此本发明专利技术可被视为一种单芯片解决方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器错误。各实施例运用错误检测与纠正技术((ErrorCheckingand Correcting, ECC)以及TC余对于(redundancy row)及TC余歹(redundancy column)修复潜 在错误以及VRT错误。
技术介绍
存储器常发生各种形态的错误。软错误，通常是半导体封包中的α粒子以及环境 中的中子所造成。VRT则发生在当一位时而为弱位时而为强位时，此现象会使装置纵使能够 通过最终测试(例如芯片制造商出厂该装置前所做的测试)，之后仍会不定时的失效。除 了 VRT通常在存储器的固定地址上复发之外，其与软错误有许多相似的现象。由于存储一 位的晶体管上栅极与漏极间的电性短路之故，半导体电路的效能会随时间衰减。存储器中 发生的这些错误会导致潜在失效(latent failure)，而这些潜在失效会使装置在通过测试 而离厂后(例如5到10年后)发生失效。软错误常随机发生，并且不太可能发生在相同的 区域，而VRT及潜在错误则容易发生在相同的区域。烧入测试(Burn-in test)虽可改善潜 在错误的发生，但所费不赀。内容定址存储器(content a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器错误处理方法，包括：取得一存储器中一失效区的一地址；依据该地址判断出一错误形态；若该错误形态不包括一软错误，则利用冗余技术修复该错误。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：戈马克麦克康乃尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]