本发明是有关于一种双沟道静态随机存取内存单元，包含四组串联的金氧半场效应晶体管、第一上拉装置以及第二上拉装置。每一前述组串联的金氧半场效应晶体管具有下拉装置以及沟道栅装置。前述第一上拉装置以及第二上拉装置配置以使前述四个下拉装置形成两个...

本发明提供一种垂直式探针卡，包含多根探针和用以支撑探针的探针持体。探针持体包含下导板、上导板、辅助固定片和支撑装置。下导板具有第一凹陷部，此第一凹陷部具有多个第一贯穿孔。上导板具有第二凹陷部，此第二凹陷部具有多个第二贯穿孔。上导板设置于...

本发明是有关于一种锁相回路(Phase-locked?loop，PLL)电路，包含：一电压控制振荡器(voltage-controlled?oscillator，VCO)，其具有一电压控制振荡器输入，用以接收一控制电压和一电压控制振荡器...

本发明涉及一种无残留物晶片的制造方法。有机粘着胶带通常于凸块形成后在晶片制作的过程中用来固定与保护凸块。在所述制造方法中，于胶带去层压后，若有机粘着胶带残留于晶片上，则于层压胶带前，涂布一凸块模板层于凸块上，以便于残留物后续移除，得到一...

本发明揭示一种封装结构，包括：一第一芯片；一第二芯片接合至第一芯片上方，其中第二芯片的尺寸小于第一芯片的尺寸；以及一辅助芯片接合至第一芯片上方。辅助芯片包括一部分围绕第二芯片。辅助晶片包括一材料，其择自于实质上由硅及金属所组成的群组。本...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该元件包括一半导体基底；一第一栅极结构，设置于基底上方，第一栅极结构包括一第一导电形态的第一栅电极；一第二栅极结构，设置于基底上方且邻近第一栅极结构，第二栅极结构包括一第二导电形态的第二栅电极，第二...

本发明一实施例提供一种集成电路及其形成方法，该集成电路包括：一核心区，具有至少一边缘区；多个晶体管，设置于该边缘区之中；以及多个虚置结构，邻接该至少一边缘区而设置，其中所述多个晶体管的每一沟道在一沟道宽度方向上面向所述多个虚置结构的至少...

本发明提供一种鳍式场效晶体管(FinFET)及其制法，该晶体管制法包括：从半导体基材之上延伸形成鳍式场效晶体管的第一与第二鳍，其中浅沟隔离(shallow?trench?isolation，STI)区域位于第一与第二鳍之间，且与第一、第...

本发明公开了一种半导体结构及形成半导体装置的方法，其中该半导体结构包括：一基材以及一柱体，基材包括一导电焊盘，该导电焊盘具有一第一宽度，柱体电性耦接于该导电焊盘，该柱体具有一第二宽度，其中该第一宽度比该第二宽度大了大约6微米或6微米以上...

本发明公开一种半导体元件封装体、环结构、及制造半导体封装体的方法，其中一实施例提供一种半导体元件封装体，包括：一封装基底；一芯片，连接至该封装基底；以及一环结构，连接至该封装基底，并横向围绕该芯片的周边而设置，而使该芯片的一表面露出，其...

一种发光装置及其形成方法，所述发光装置包括：一不平整基板，包括自该不平整基板的一顶面延伸进入该不平整基板内的一第一沟槽，其中该沟槽包括一第一侧壁与一底部。一发光单元，位于该不平整基板上且包括一有源层及具相反导电特性的一第一覆盖层与一第二...

一种半导体制造、处理及界面系统、容器、承载器及吸附装置。在一界面系统的实施例中，一封装室以及至少一闸门覆盖该封装室的开口。一机械系统置于该封装室中，包含至少一支架用以支撑及传送至少一基板。至少一第一管路耦接该封装室，注入气体于该封装室中...

本发明公开了一种集成电路元件及其制造方法。所揭示集成电路元件的制造方法包括提供一基板；形成一栅极结构在该基板上；形成一磊晶层在基板的源极与漏极区域，该源极与漏极区域内有该栅极结构插入其中；待形成磊晶层后，在该源极与漏极区域内形成一轻度掺...

本发明提供了用于n型或p型沟道晶体管的层叠结构及平面反向电路。在一实施例中，层叠结构可用于制造n型沟道晶体管。层叠结构包含一第一半导体层，具有一导带最低能阶EC1；一第二半导体层，具有一分离的空穴能阶H0；一宽能隙半导体阻挡层，位于此第...

本发明揭露具有栅极接口结构的高电压装置及用以形成高电压装置的方法，高电压装置包含基板、栅极接口结构、栅极、金属层以及至少一源／漏极区间。其中，栅极接口结构位于基板上方且具有第一部分与第二部分。第一部分具有第一厚度，且位于基板中第一掺杂型...

一种管理系统及方法。管理系统包括至少一个递送要求、多个设备、与仿真器。递送要求中指出多个装置，每个装置包括个别的数量。设备测试装置，每个设备包括设备组态。仿真器获取个别装置的装置组态需求，依据个别的装置组态需求与设备组态来将装置与设备进...

本发明提供一种晶片边缘曝光模块及晶片边缘曝光方法，该晶片边缘曝光模块连接至一半导体晶片涂布显影系统。该晶片边缘曝光模块包括一晶片旋转装置、一光学系统、一扫描机界面模块以及一控制器。该晶片旋转装置支持一晶片，以进行加工。该光学系统同时将一...

本发明利用深宽比捕获材料将以非硅为主体的半导体元件整合于硅工艺中。位于至少一部分结晶材料中的非硅光感测元件可输出于非硅光感测元件中通过光吸收所产生的电子。本发明光感测元件可具有相对大的微米尺寸。在一实施例中，通过结合一深宽比捕获技术，于...

本发明提供一种防止接触孔金属（例如钨）水平伸入相邻元件的栅极叠层结构以影响相邻元件的功函数的集成电路结构及其方法。该方法利用具有良好侧壁覆盖能力的功函数层定义位于接触孔插塞下方的金属栅极，且做为上述金属栅极的衬垫层，其中上述接触孔插塞是...

本发明关于鳍式场效应晶体管的隔离结构。本发明公开了一种半导体装置及场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管包括含一主要表面的基材；多个鳍式结构，突出此基材的主要表面，其中每个鳍式结构均包含由一过渡位置所分离的上部及下部，此过渡位置位于鳍式结构的...