本发明提供一种光电(photonic)装置及其制作方法，适用于发出包含白光的全光谱光线(full?spectrum?of?lights)。此装置包含成长于一基底上的二个或更多的发光装置，每个发光装置各自受到控制而发出不同波长的光线。一发...

本发明揭露一种具有电流控制机制的逻辑电路及电流控制方法，所述电路包含一电流源网络、一漏泄电路、一电流源产生器以及一电流控制电路。电流源网络用以产生第一电流。漏泄电路，在至少二漏泄状态下具有一漏泄电流，而漏泄电流则会影响第一电流的流量。电...

本发明公开了一种集成电路装置及封装组件，该集成电路装置包括：半导体基板；第一凸块底金属层形成于半导体基板之上；第二凸块底金属层形成于第一凸块底金属层之上且具有侧面；导电柱形成于第二凸块底金属层之上且具有侧面与顶面；保护结构形成于导电柱的...

本发明提供一种半导体制造的方法及系统以及制造半导体装置的方法。该半导体制造的方法包括提供一晶片的一装置参数的一模型作为第一及第二工艺参数的一函数。该第一及第二工艺参数分别对应不同晶片特性。该方法包括根据该装置参数的一特定目标值推导该第一...

本发明提供了金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。在一实施例中， 本发明的金属氧化物半导体晶体管的栅电极具有延伸至一延伸介电层的一 上部边缘的一部分，该延伸介电层分隔该栅电极与该金属氧化物半导体晶体 管的一漏极区。另外，在邻近该栅电极的该...

本发明提供一种制造半导体装置的方法。该方法包含：提供一半导体基底；形成一栅极结构于该基底之上，其中该栅极结构包含一虚置栅极；由该栅极结构移除该虚置栅极以形成一沟槽；形成一功函数金属层部分填入该沟槽；形成一填充金属层以填满该沟槽的剩余部分...

本发明公开了鳍式场效晶体管及其制造方法，其方法包含形成延伸至一半导体基底的上方的一第一鳍状物和一第二鳍状物、与位于二者之间的一浅沟槽隔离区。一间隔定义于浅沟槽隔离区的上表面上方的第一与第二鳍状物之间。一第一高度定义于该浅沟槽隔离区的上表...

本发明提供一种发光装置封装元件，该元件包括发光装置芯片与载体芯片。该载体芯片包括第一与第二接合焊盘，于该载体芯片的表面上；以及第三与第四接合焊盘，于该载体芯片的该表面上，并分别电性连接该第一与该第二接合焊盘。该第一、第二、第三与第四接合...

本发明提供一种发光装置(LED)封装元件，该封装元件包含一发光装置芯片及一承载芯片。此承载芯片包含一第一连接焊盘及一第二连接焊盘，位于此承载芯片的一表面上且以倒装芯片接合方式与此发光装置芯片接合，此承载芯片也包含一第三连接焊盘及一第四连...

本发明提供一种发光装置(LED)封装元件及其制造方法，该元件包含一具有一第一有源连接垫及一第二有源连接垫的LED芯片；一承载芯片，以倒装芯片接合方式接合在此LED芯片上，其中此承载芯片包含一第一有源基材通孔(through-substr...

本发明涉及集成电路的制造方法，尤其涉及一种具栅极结构的半导体装置的制造方法。一种栅极结构的制造方法包括：提供一硅基板；沉积并图案化一虚置氧化层和一虚置栅极电极层于基板上；形成一牺牲层环绕虚置氧化层和虚置栅极电极层；形成一含氮介电层环绕牺...

本发明提供一种装置，包括半导体元件，且半导体元件包括：半导体基板，有沟道区；高介电常数的介电层，位于至少部分沟道区上；栅极，位于至少分沟道区上与介电层上，其中栅极实质上为金属；以及栅极接点，接合栅极位于沟道区上。本发明也提供一种形成半导...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，以降低半导体装置中的电感与基板的耦合效应，上述具有降低基板耦合效应的半导体装置的制造方法包括提供一基板，其具有第一区域和第二区域。于第一区域上方形成第一栅极结构，且于第二区域上方形成第二栅极结构，其...

本发明提供一种半导体结构的形成方法，包含：提供一基底，上述基底在其一表面具有一鳍状物；以及形成一鳍式场效应晶体管，其还具有：在上述鳍状物上形成一栅极堆叠结构；在上述栅极堆叠结构的一侧壁上形成一薄层间隙壁；及以外延的方式从上述鳍状物生长一...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一晶体管，该晶体管包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区；一第一栅极，设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，设置于该漏极区之上。本发明的优点之一在于栅极结构于形...

本发明是有关于一种半导体元件，在一实施方式中，此半导体元件为一种高电位金氧半导体(HVMOS)元件。此元件包括半导体基板和形成在此半导体基板上的栅极结构。此栅极结构包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分且第二厚度大于第一厚...

公开了一种改善二个电性元件(510，550)之间的电性内连线的方法，其是借由提供与电性内连线(530)相结合的一超材料覆盖物(700)来实现。该超材料覆盖物被设计为使得电性信号经由电性内连线传播时表现得如同其内形成有电性内连线的介电介质...

一种光电元件(41)的封装基座(1，21)，包括一基底，一第一顶部接垫(7，9)，位于该基底的一顶表面(5)之上，一第一底部接垫(15，17)，位于该基底的一底表面(19)上，以及一第一缠绕接触(13)，位于该基底的一侧壁凹槽(11，1...

本发明在此提供一种集成电路及制造一集成电路的方法。此集成电路包含一内连结构，至少部分位于一基板上的一介电层的至少一开口中。至少一空气隙位于该介电层与该内连结构间。至少一第一衬垫材料位于该至少一空气隙下方。至少一第二衬垫材料环绕该内连结构...

本发明揭露一种金属氧化物半导体组件及其制作方法，该金属氧化物半导体(MOS)组件包含具有第一与第二接触的有源区。第一与第二栅极位于第一与第二接触之间。第一栅极邻设于第一接触，且具有第三接触。第二栅极邻设于第二接触，且具有与第三接触耦合的...