发光装置封装元件制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置封装元件，该元件包括发光装置芯片与载体芯片。该载体芯片包括第一与第二接合焊盘，于该载体芯片的表面上；以及第三与第四接合焊盘，于该载体芯片的该表面上，并分别电性连接该第一与该第二接合焊盘。该第一、第二、第三与第四接合焊盘位于该载体芯片的相同表面上。该发光装置封装元件还包括第一与第二金属凸块，借由倒装芯片接合分别将该第一与第二接合焊盘接合于该发光装置芯片上；以及窗型模块基板，借由倒装芯片接合与该第三与第四接合焊盘接合。该窗型模块基板包括窗户，该发光装置芯片朝该窗户发射光。本发明专利技术的散热能力是高的，其改善优于传统热路径包含低热传导性材料的发光装置封装。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置(LED)封装元件，特别涉及一种包含基板穿孔(TSV)的发光装置(LED)封装元件。
技术介绍
近年来，光学装置，例如发光二级管(LED)、激光二级管与紫外光(UV)光检测器的使用已愈来愈多。第三族氮化物化合物(Group-Ill nitridecompound)，例如氮化镓(GaN) 及其相关合金已知适合于光学装置的形成。第三族氮化物化合物的宽能隙(bandgap)与高电子饱和速率(electron saturationvelocity)也使其成为应用于高温与高速功率电子装置的极佳候选人。由于在一般成长温度下氮的高平衡压力，致获得氮化镓(GaN)主体结晶极为困难。因此，氮化镓(GaN)层与各别发光二级管(LED)通常形成于其他可与氮化镓(GaN)特性匹配的基板上。蓝宝石(sapphire)(氧化铝(Al2O3))为一经常使用的基板材料。图1揭示一发光二级管(LED)封装元件的一剖面图。包括多层氮化镓(GaN)主体层的发光二级管 (LED) 2形成于蓝宝石基板4上。蓝宝石基板4进一步安装于导线架6上。电极8与10借由金导线12电性连接发光二级管(LED) 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光装置封装元件，包括：一发光装置芯片；一载体芯片，包括：一第一接合焊盘与一第二接合焊盘，于该载体芯片的一表面上；以及一第三接合焊盘与一第四接合焊盘，于该载体芯片的该表面上，并分别电性连接该第一接合焊盘与该第二接合焊盘，其中该第一接合焊盘、该第二接合焊盘、该第三接合焊盘与该第四接合焊盘位于该载体芯片的相同表面上；一第一金属凸块与一第二金属凸块，借由倒装芯片接合分别将该第一接合焊盘与该第二接合焊盘接合于该发光装置芯片上；以及一窗型模块基板，借由倒装芯片接合与该第三接合焊盘与该第四接合焊盘接合，其中该窗型模块基板包括一窗户，该发光装置芯片朝该窗户发射光。

【技术特征摘要】
2010.03.02 US 12/715,7951.一种发光装置封装元件，包括 一发光装置芯片；一载体芯片，包括一第一接合焊盘与一第二接合焊盘，于该载体芯片的一表面上；以及一第三接合焊盘与一第四接合焊盘，于该载体芯片的该表面上，并分别电性连接该第一接合焊盘与该第二接合焊盘，其中该第一接合焊盘、该第二接合焊盘、该第三接合焊盘与该第四接合焊盘位于该载体芯片的相同表面上；一第一金属凸块与一第二金属凸块，借由倒装芯片接合分别将该第一接合焊盘与该第二接合焊盘接合于该发光装置芯片上；以及一窗型模块基板，借由倒装芯片接合与该第三接合焊盘与该第四接合焊盘接合，其中该窗型模块基板包括一窗户，该发光装置芯片朝该窗户发射光。2.如权利要求1所述的发光装置封装元件，其中该发光装置芯片包括两电极，电性连接该第一接合焊盘与该第二接合焊盘。3.如权利要求1所述的发光装置封装元件，还包括一伪基板穿孔，于该载体芯片中，其中该伪基板穿孔电性连接该第一金属凸块，当该发光装置芯片发射光时，该伪基板穿孔未通过任何电流。4.如权利要求1所述的发光装置封装元件，还包括一散热片与一热界面材料，该热界面材料邻近与位于该散热片与该载体芯片之间。5.一种发光装置封装元件，包括 一窗型模块基板，包括一窗户；以及一第一接合焊盘与一第二接合焊盘，于该窗型模块基板的一表面上，邻近该窗户； 一载体芯片，包括一第三接合焊盘与一第四接合焊盘，于该载体芯片的一第一侧上；以及一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71