具有多种厚度的栅极电介质的半导体元件制造技术

本发明专利技术是有关于一种半导体元件，在一实施方式中，此半导体元件为一种高电位金氧半导体(HVMOS)元件。此元件包括半导体基板和形成在此半导体基板上的栅极结构。此栅极结构包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分且第二厚度大于第一厚度。在第一和第二部分上设有一栅电极。在一实施方式中，栅极电介质第二部分下方设有一漂移区域。此外，还提供了一种制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有关于半导体技术，特别是涉及一种具有多种厚度的栅极电介质的半导体元件，以及制造此元件的方法。
技术介绍
高电位金氧半导体(High voltage metal-oxide-semiconductor, HVM0S)元件可应用在包括CPU电源供给器、电力管理系统、AC/DC转换器等多种用途上。随着由诸如金氧半导体场效电晶体(metal-oxide-semiconductor field effect transiitors，MOSFETs) 组成的半导体电路被应用在高电位用途上，随之而来的是与这些元件可靠性相关的诸多问题。举例来说，高栅极电流会使元件可靠性变差，而所采用能降低栅极电流的方法，例如降低漂流区域掺杂度及改善元件尺寸的方式，却会进一步衍生出其他的问题，例如，造成元件开机电阻值上升。因此，亟需提出一种可靠的HVMOS元件与制造此元件的方法。由此可见,上述现有的高电位金氧半导体(High voltagemetal-oxide-semicondu ctor,HVM0S)元件在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新型结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体元件，包含：一半导体基板；一栅极结构，形成在此半导体基板上，其特征在于栅极结构包括：一栅极电介质，具有一第一部分和一第二部分，该第一部分具有一第一厚度且该第二部分具有一第二厚度，其中该第二厚度大于该第一厚度；和一栅电极，位于该栅极电介质上；和一源极与一漏极，形成在该栅极结构任一侧的基板上。

【技术特征摘要】
2010.03.10 US 12/721,0451.一种半导体元件，包含一半导体基板；一栅极结构，形成在此半导体基板上，其特征在于栅极结构包括 一栅极电介质，具有一第一部分和一第二部分，该第一部分具有一第一厚度且该第二部分具有一第二厚度，其中该第二厚度大于该第一厚度；和一栅电极，位于该栅极电介质上；和一源极与一漏极，形成在该栅极结构任一侧的基板上。2.如根据权利要求1所述的半导体元件，更包含一高电位阱，其具有一第一传导型式且形成在该基板上，其特征在于其中所述的漏极位于该高电位阱中，且其中该栅极电介质的该第二部分覆盖该高电位阱。3.如根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的高电位阱界定出一漂移区域。4.如根据权利要求1所述的半导体元件，更包含一浅沟渠隔离区(STI)，位于该半导体基板内，其特征在于其中所述的STI位于该栅极电介质的该第二部分下方，且该STI与漏极相邻。5.如根据权利要求1所述的半导体元件，更包含一高电位阱，具有一第一传导型式； 一高电位阱，具有一第二传导型式；一埋入层，具有该第一传导型式，其特征在于其中所述的基板具有该第二传导型式。6.如根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第二厚度比该第一厚度至少大约70埃。7.如根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于其中所述的第二厚度介于约200 埃至约2000埃之间。8.一种高电位半导体元件，包含一具有一第一传导型式的基板；一埋入层，位于该基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：周学良，柳瑞兴，姚智文，段孝勤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71