半导体封装制造技术

技术编号:41246950 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-09 23:57
本公开的一种半导体封装包括横向邻近彼此设置的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。半导体封装包括重叠第一半导体晶粒的第一角落和第二半导体晶粒的第二角落的半导体桥。半导体桥将第一半导体电性耦合至第二半导体晶粒。半导体封装包括分别电性耦合至第一半导体晶粒和第二半导体晶粒的第三半导体晶粒和第四半导体晶粒。半导体桥插入第三半导体晶粒与第四半导体晶粒之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开是关于半导体封装,且特别是关于包括多个半导体晶粒的半导体封装。


技术介绍

1、半导体装置普及于大部分产业中的多种应用和装置。举例而言,个人计算机、手机和穿戴式装置等的消费电子装置可以含有数个半导体装置。相似地,例如测试设备、运输和自动化系统的工业产品经常包括大量的半导体装置。当半导体制造方法改善时,半导体持续用于新用途中,因此增加对半导体表现、成本、可靠度等的需求。


技术实现思路

1、根据本公开的一些实施例,一种半导体封装包括设置成邻近彼此的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒,以及重叠第一半导体晶粒的第一角落和第二半导体晶粒的第二角落的半导体桥,其中半导体桥将第一半导体晶粒电性耦合至第二半导体晶粒。半导体封装还包括分别电性耦合至第一半导体晶粒和第二半导体晶粒的第三半导体晶粒和第四半导体晶粒,其中半导体桥插入第三半导体晶粒与第四半导体晶粒之间。

2、根据本公开的一些实施例,一种半导体封装包括设置成邻近彼此的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒,以及重叠第一半导体晶粒的第一角落和第二半导体晶粒的第二角落的半导体桥,其中半导体桥将第一半导体晶粒电性耦合至第二半导体晶粒,且半导体桥包括电性耦合至第一半导体晶粒的第一通孔和电性耦合至第二半导体晶粒的第二通孔,第一通孔和第二通孔延伸穿过半导体桥的基板。半导体封装还包括设置于半导体桥上方且电性耦合至半导体桥的第三半导体晶粒和第四半导体晶粒,其中半导体桥插入第三半导体晶粒与第四半导体晶粒之间,第三半导体晶粒通过第一通孔电性耦合至第一半导体晶粒,且第四半导体晶粒通过第二通孔电性耦合至第二半导体晶粒。

3、根据本公开的一些实施例,一种半导体封装包括设置成邻近彼此的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒,以及重叠第一半导体晶粒的第一角落和第二半导体晶粒的第二角落的半导体桥,其中半导体桥将第一半导体晶粒电性耦合至第二半导体晶粒。半导体封装还包括设置在半导体桥上方且电性耦合至半导体桥的第三半导体晶粒和第四半导体晶粒,其中半导体桥插入第三半导体晶粒与第四半导体晶粒之间,且第三半导体晶粒和第四半导体晶粒分别重叠半导体桥的第三角落和第四角落。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,其中该第一半导体晶粒和该第三半导体晶粒在一第一接合界面层耦合,且该第二半导体晶粒和该第四半导体晶粒在一第二接合界面层耦合。

3.如权利要求1或2任一项所述的半导体封装,其特征在于,其中该半导体桥通过一间隙填充层与该第三半导体晶粒和该第四半导体晶粒横向分离。

4.如权利要求1或2任一项所述的半导体封装,其特征在于,其中该第三半导体晶粒和该第四半导体晶粒设置在该半导体桥上方且重叠该半导体桥的多个角落。

5.如权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,进一步包括垂直夹置在该第一半导体晶粒与该第三半导体晶粒之间的一第五半导体晶粒,以及垂直夹置在该第二半导体晶粒与该第四半导体晶粒之间的一第六半导体晶粒,其中该半导体桥插入该第五半导体晶粒与该第六半导体晶粒之间。

6.一种半导体封装,其特征在于,包括:

7.如权利要求6所述的半导体封装,其特征在于,进一步包括设置在该第一半导体晶粒的一背侧上的一第一再分布结构,以及设置在该第二半导体晶粒的一背侧上的一第二再分布结构,其中该第一再分布结构和该第二再分布结构中的各者包括多个导电特征,使得该第三半导体晶粒通过该第一再分布结构电性耦合至该第二半导体晶粒,且该第四半导体晶粒通过该第二再分布结构电性耦合至该第一半导体晶粒。

8.如权利要求7所述的半导体封装,其特征在于,其中该半导体桥包括在一背侧上的一第三再分布结构。

9.如权利要求6至8任一项所述的半导体封装,其特征在于,其中该半导体桥是一第一半导体桥,且该半导体封装进一步包括一第二半导体桥重叠该第一半导体晶粒的一第一边缘和该半导体晶粒的一第二边缘,其中该第二半导体桥将该第一半导体晶粒电性耦合至该第二半导体晶粒。

10.一种半导体封装,其特征在于,包括:

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【技术特征摘要】

1.一种半导体封装,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,其中该第一半导体晶粒和该第三半导体晶粒在一第一接合界面层耦合,且该第二半导体晶粒和该第四半导体晶粒在一第二接合界面层耦合。

3.如权利要求1或2任一项所述的半导体封装,其特征在于,其中该半导体桥通过一间隙填充层与该第三半导体晶粒和该第四半导体晶粒横向分离。

4.如权利要求1或2任一项所述的半导体封装,其特征在于,其中该第三半导体晶粒和该第四半导体晶粒设置在该半导体桥上方且重叠该半导体桥的多个角落。

5.如权利要求4所述的半导体封装,其特征在于,进一步包括垂直夹置在该第一半导体晶粒与该第三半导体晶粒之间的一第五半导体晶粒,以及垂直夹置在该第二半导体晶粒与该第四半导体晶粒之间的一第六半导体晶粒,其中该半导体桥插入该第五半导体晶粒与该第六半导体晶粒之间。

6.一种半导体封装...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈明发黄智强李雲汉鲁立忠
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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