【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种半导体装置及半导体结构，且特别是有关于一种具有电容器的半导体装置及半导体结构。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，对于更高的储存容量、更快的处理系统、更高的功效及更低的成本的需求渐增加。为了满足此些需求，半导体产业持续按比例缩小主动及被动半导体装置的尺寸，例如电容器、鳍式场效晶体管(鳍式fet)及栅极环绕fets(gaa fets)。此按比例缩小已增加制造被动及主动半导体装置的复杂度。
技术实现思路
1、本揭露的一实施例揭露一种半导体装置。此半导体装置包含基材、第一沟槽、第二沟槽、第一导电层、第二导电层、第三导电层、氮化物层、第一接触结构及第二接触结构。第一沟槽及第二沟槽设置于基材内，并通过基材的基材区域彼此分隔开。第一导电层、第二导电层及第三导电层设置为堆叠配置，并且第一导电层、第二导电层及第三导电层设置于第一沟槽及第二沟槽中，且设置于基材区域上。氮化物层包含第一氮化物部分及第二氮化物部分。氮化物层设置于第一沟槽及第二沟槽上以及基材区域上，其中第一氮化物部分设置于第一导电层的顶表面上，并设置于第二导电层的侧壁及第三导电层的侧壁上，且第二氮化物部分设置于第二导电层的顶表面上，并设置于第三导电层的侧壁上。第一接触结构电性连接至第一导电层，且第二接触结构电性连接至第二导电层。
2、本揭露的另一实施例揭露一种半导体结构。此半导体结构包含半导体装置及内连接结构。半导体装置包含第一沟槽、第二沟槽、第一电容器、第二电容器、第一接触结构及第二接触结构。第一沟槽及第
3、本揭露的又一实施例揭露一种半导体结构。此半导体结构包含半导体装置及氮化物层。半导体装置包含第一沟槽、第二沟槽、第一电容器及第二电容器。第一沟槽及第二沟槽设置于基材内。第一电容器包含第一导电层及第二导电层，其中第一导电层及第二导电层设置于第一沟槽及第二沟槽内。第二电容器包含第二导电层及第三导电层，其中第二导电层及第三导电层设置于第一沟槽及第二沟槽内。氮化物层包含第一氮化物部分及第二氮化物部分。第一氮化物部分设置于第一导电层上、第二导电层的侧壁上及第三导电层的侧壁上，且第二氮化物部分设置于第二导电层上及第三导电层的侧壁上。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一氮化物部分围绕该第一接触结构，且该第二氮化物部分围绕该第二接触结构。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含一高k值介电层，其中该高k值介电层设置于该第一导电层与该第二导电层间，且该第一氮化物部分设置于该高k值介电层上。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含一高k值介电层，其中该高k值介电层设置于该第二导电层与该第三导电层间，且该第二氮化物部分设置于该高k值介电层上。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含一第三沟槽，其中该第三沟槽设置于该第一沟槽与该第二沟槽间，且该第三沟槽的一伸长边实质垂直于该第一沟槽的一伸长边及该第二沟槽的一伸长边。
6.一种半导体结构，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该内连接包含一金属线，该金属线电性连接至该第一接触结构。
8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该内连接结构包含一金属线，
9.一种半导体结构，其特征在于，包含：
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包含一第一金属线及一第二金属线，该第一金属线重叠该第一沟槽，且该第二金属线重叠该第二沟槽。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一氮化物部分围绕该第一接触结构，且该第二氮化物部分围绕该第二接触结构。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含一高k值介电层，其中该高k值介电层设置于该第一导电层与该第二导电层间，且该第一氮化物部分设置于该高k值介电层上。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含一高k值介电层，其中该高k值介电层设置于该第二导电层与该第三导电层间，且该第二氮化物部分设置于该高k值介电层上。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包含一第三沟槽，其中该第三沟槽设置于该第一沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭富强，陈美秀，侯俊廷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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