【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及光学器件、半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、光信号用于器件之间的高速和安全的数据传输。电光器件包括分别形成在光学芯片和电子芯片上的光学组件和电子组件，其中，这两个芯片接合在一起以提供电光器件的功能。光学芯片上的光学器件的布置可以取决于电子芯片的布局，或者根据电子芯片的布局进行调整，并且即使光学芯片具有用于在其上形成更多光学器件的空间，光学器件的数量也受到电子芯片的布局的限制。随着半导体行业为了追求更小的产品规格而发展到了先进的技术工艺节点，人们研究了各种方法，并且遇到了提高光学器件密度的障碍。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：波导结构，位于衬底上，其中，波导结构包括具有第一类型的掺杂剂的第一掺杂区，和具有不同于第一类型的第二类型的掺杂剂的第二掺杂区；光电材料，位于第一掺杂区和第二掺杂区的结的附近；以及晶体管，位于衬底上的与波导结构的水平相同的水平处。
2、本专利技术的另一些实施例提供了一种光学器件，该光学器件包括：第一光电探测器，配置成探测第一光信号，其中，第一光电探测器包括：第一波导，从俯视透视图观察，第一波导沿着第一方向延伸，并且第一波导包括第一输入端子和第一输出端子；和第一光电层，位于第一输入端子和第一输出端子之间；以及第二光电探测器，配置成探测第二光信号，其中，第二光电探测器包括：第二波导，从俯视透视图观察，第二波导沿着与第一方向不同的第二方向延伸，并且第二波导包括第二输入端子和第二输出
3、本专利技术的又一些实施例提供了一种制造半导体结构的方法，该方法包括：图案化衬底的半导体层，从而在衬底上方形成光学结构；在衬底中形成第一掺杂区、第二掺杂区、和第三掺杂区，其中，第一掺杂区设置在光学结构中，第二掺杂区设置成在光学结构中与第一掺杂区相邻，并且晶体管的第三掺杂区设置在与光学结构分隔开的半导体层中；在第一掺杂区和第二掺杂区的结的附近形成光电材料；在光学结构上方形成至少第一接触件，并且在晶体管上方形成至少第二接触件；以及在光学结构和晶体管上方形成互连结构，以将光学结构和晶体管电连接。
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1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述光电材料包括锗。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述光电材料具有晶体结构，所述晶体结构位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结上方或者围绕所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述光电材料在所述波导结构内在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结的上方或者在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结之间延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述光电材料在所述波导结构中限定第三掺杂区，并且所述第三掺杂区与所述第一掺杂区或者所述第二掺杂区分隔开。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，还包括：
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，在截面图中，所述光电材料和具有p型导电性的所述第一掺杂区的重叠面积大于所述光电材料和具有n型导电性的所述第二掺杂区的重叠面积。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
9.一种光学器件，包括：
10.一种
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述光电材料包括锗。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述光电材料具有晶体结构，所述晶体结构位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结上方或者围绕所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述光电材料在所述波导结构内在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结的上方或者在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述结之间延伸。
5.根据权利要求4所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄泰钧，斯帝芬·鲁苏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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