半导体元件的操作方法技术

本发明专利技术是有关于一种半导体元件的操作方法，是利用体效应改善半导体元件的开启电流/关闭电流，以降低半导体元件的漏电流，该方法包括包括在半导体元件的导电性通道的形成期间以及半导体元件的非导电性通道的形成期间，提供大体上固定且非零的基体偏压至相对为低临界电压的半导体元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种具有改善次临界电压摆幅(improved subthreshold voltage swing)及降低漏电流的短通道。
技术介绍
在传统的金属氧化物半导体技术中，栅极应该被形成为具有与源极与漏极的杂质掺杂型态相同的杂质掺杂。考虑到制造成本的问题，创造出一种埋入式通道(buried channel)金属氧化物半导体，其是由具有与通道不同的植入(implant)型态的栅极所组成。由于由N型多晶硅栅极及P型掺杂通道产生的空乏区(cbpletion region)位于通道表面，空穴大部分位于离表面更深的位置。因此，此结构一般称为埋入式通道P型金属氧化物半导体元件。然而，埋入式通道P型金属氧化物半导体(P-type metal oxidesemiconductor, PM0S)元件的效能是有问题的，原因在于其次临界电压摆幅(subthreshold swing)在尺寸缩小(scaling)时明显地变差(degrade)，且在高Vd的操作下，存在大量漏极漏电流的问题。因此，在高漏极电压下，亟需一种可降低次临界电压摆幅及抑制漏极漏电流的方法。图1是包括埋入式通道本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体元件的操作方法，其特征在于其包括以下步骤：在一半导体元件的一导电性通道的形成期间以及该半导体元件的一非导电性通道的形成期间，提供一固定且非零的基体偏压至该半导体元件。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的操作方法，其特征在于其包括以下步骤在一半导体元件的一导电性通道的形成期间以及该半导体元件的一非导电性通道的形成期间，提供一固定且非零的基体偏压至该半导体元件。2.根据权利要求1所述的半导体元件的操作方法，其特征在于其中提供该固定且非零的基体偏压的步骤改变该半导体元件的临界电压。3.根据权利要求1所述的半导体元件的操作方法，其特征在于其中提供该固定且非零的基体偏压的步骤降低该半导体元件的漏电流且改善次临界电压摆幅。4.根据权利要求1所述的半导体元件的操作方法，其特征在于其中所述的半导体元件为一埋入式通道半导体元件或一表面通道半导体元件，且提供该固定且非零的基体偏压的步骤改变该半导体元件的临界电压。5.根据权利要求4所述的半导体元件的操作方法，其特征在于其中所述的半导体元件为一 P型金属氧化物半导体元件。6.根据权利要求4所述的半导体元件的操作方法，其特征在于其中所述的半导体元件为一 N型金属氧化物半导体元件。7.根据权利要求4所述的半导体元件的操作方法，其特征在于其中所述的半导体元件的开启电流与关闭电流之间的比被改善。8.一种半导体元件的操作方法，其特征在于其是一种耦接于源极与漏极之间的互补式半导体元件的操作方法，其包括以下步骤在一第一半导体元件的导电性通道的形成期间以及该第一半导体元件的非导电性通道的形成期间，提供一固定的第一基体偏压至该第一半导体元件；以及在一第二半导体元件的导电性通道的形成期间以及该第二半导体元件的非导电性通道的形成期间，提供一固定的第二基体偏压至该第二半导体元件，且该第一半导体元件不同于该第二半导体元件。9.根据权利要求8所述的耦接于源极与漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵元鹏，张耀文，张馨文，林哲仕，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71