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本发明是有关于一种半导体元件，在一实施方式中，此半导体元件为一种高电位金氧半导体(HVMOS)元件。此元件包括半导体基板和形成在此半导体基板上的栅极结构。此栅极结构包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分且第二厚度大于第一厚度。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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