【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及半导体装置，特别涉及鳍式场效应晶体管(fin field effecttransistors ；finFETs)的轻惨杂源 / 漏极(lightly doped source and drain ； LDD)区与外延区的形成方法。
技术介绍
随着集成电路尺寸的缩减，金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor ； M0S)装置的尺寸日益变小，金属-氧化物-半导体装置的结深度也随之缩减，这样的缩减导致在金属-氧化物-半导体装置的制造上面临了技术上的难题。例如，为了减少源极与漏极的电阻，较小的金属-氧化物-半导体装置需要较高的源极与漏极的掺杂物浓度及/或较大的结深度。然而，较高的掺杂物浓度，特别在轻掺杂源/漏极(lightly dopedsource and drain ；LDD)区会造成漏电流的增加，而轻掺杂源/漏极区的结深度的增加，会造成所制造的金属-氧化物-半导体装置的短沟道特性的损害。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种，包含提供一基底，上述基底在其一表面具有一鳍状物；以及形成一鳍式场效应晶体管，其还具有在上...
【技术保护点】
１．一种半导体结构的形成方法，包含：提供一基底，该基底在其一表面具有一第一鳍状物；以及形成一第一鳍式场效应晶体管，其具有：在该第一鳍状物上形成一第一栅极堆叠结构；在该第一栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第一薄层间隙壁；从该第一鳍状物以外延的方式生长一第一外延区；在该第一外延区的外延生长步骤之后，在该第一薄层间隙壁的外缘上形成一第一主间隙壁；及在形成该第一主间隙壁的步骤之后，执行一第一深源／漏极掺杂步骤，以形成该第一鳍式场效应晶体管的一第一深源／漏极区。
【技术特征摘要】
2010.03.09 US 12/720,4761.一种半导体结构的形成方法，包含提供一基底，该基底在其一表面具有一第一鳍状物；以及形成一第一鳍式场效应晶体管，其具有 在该第一鳍状物上形成一第一栅极堆叠结构； 在该第一栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第一薄层间隙壁； 从该第一鳍状物以外延的方式生长一第一外延区；在该第一外延区的外延生长步骤之后，在该第一薄层间隙壁的外缘上形成一第一主间隙壁；及在形成该第一主间隙壁的步骤之后，执行一第一深源/漏极掺杂步骤，以形成该第一鳍式场效应晶体管的一第一深源/漏极区。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包含在该第一外延区的外延生长步骤之前，执行一注入步骤以在该第一鳍状物中形成一轻掺杂源/漏极区。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一鳍式场效应晶体管为N型的鳍式场效应晶体管，且该第一外延区包含一第一部分与一第二部分，该第一部分在该第一鳍状物的上表面上，该第二部分在该第一鳍状物的一侧壁上。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一鳍式场效应晶体管为P型的鳍式场效应晶体管，且还包含在该第一外延区的外延生长步骤之前，使该第一鳍状物凹入而形成一凹部，该第一外延区则在该凹部中生长。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，还包含形成一第二鳍式场效应晶体管，其具有在一第二鳍状物上形成一第二栅极堆叠结构，其中该第二鳍状物位于该基底的该表面上；在该第二栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第二薄层间隙壁；在该第二鳍状物上以外延的方式生长一第二外延区，其中该第二外延区包含一第一部分与一第二部分，该第一部分在该第二鳍状物的上表面上，该第二部分在该第二鳍状物的一侧壁上；在该第二外延区的外延生长步骤之后，在该第二薄层间隙壁的外缘上形成一第二主间隙壁；及在形成该第二主间隙壁的步骤之后，执行一第二深源/漏极掺杂步骤，以形成该第二鳍式场效应晶体管的一第二深源/漏极区。6.一种半导体结构的形成方法，包含提供一半导体基底，该半导体基底在一 P型金属-氧化物-半导体区内具有一第一鳍状物、在一 N型金属-氧化物-半导体区内具有一第二鳍状物；在该P型金属-氧化物-半导体区中形成一 P型鳍式场效应晶体管，其具有 在该第一鳍状物上形成一第一栅极堆叠结构； 在该第一栅极堆叠结构的一侧壁上形成一第一薄层...
【专利技术属性】
技术研发人员：林大文，朱哲民，李宗鸿，曾志宏，林彦君，吴忠政，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71
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