【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法,尤其涉及一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(trench M0SFET)的制造方法。
技术介绍
高压元件技术适用于高电压与高功率的集成电路领域,传统功率晶体管为达高耐压高电流的设计,元件电流流向由平面结构设计为垂直结构。随着芯片技术性的突破功率晶体管也有不同的做法,目前在极低压功率晶体管技术发展有沟渠式栅极配合多样化工艺结构功率晶体管(Trench M0SFET)。由于沟槽式场效应晶体管能够有效地降低产品的导通电阻,并且具有较大电流处理能力,所以近年来沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管在电脑、消费电子等领域中发展快速。目前,Trench MOSFET技术在低压MOSFET产品市场中已被广泛接受,具有很高的市场占有率。在高压MOSFET市场上,虽然随着Trench MOSFET工艺技术的不断提升,产品的耐压能力有了一定的提高,但相较于平面式(Plarmar)产品,Trench MOSFET的耐压能力仍有一定的差距。未来,含有高端工艺的平面技术将会是高压MOSFET的发展趋势。图1为显示传统沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体 ...
【技术保护点】
1.一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所述的制造方法包括:提供一衬底,具有一沟槽构造在所述衬底中;形成一牺牲氧化层,顺应性地覆盖所述沟槽构造与所述衬底的表面;沿垂直方向形成一氧化层,使所述牺牲氧化层在所述衬底的表面及在所述沟槽底部的部分增厚;移除所述氧化层及部份的牺牲氧化层,在所述衬底的表面及在所述沟槽底部留下部分的氧化层;成长一额外的氧化层,顺应性地披覆于前述衬底结构上;以及沉积一导电层在所述衬底结构上并填满所述沟槽,作为所述沟槽式晶体管的栅极。
【技术特征摘要】
1.一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所述的制造方法包括提供一衬底,具有一沟槽构造在所述衬底中;形成一牺牲氧化层,顺应性地覆盖所述沟槽构造与所述衬底的表面;沿垂直方向形成一氧化层,使所述牺牲氧化层在所述衬底的表面及在所述沟槽底部的部分增厚;移除所述氧化层及部份的牺牲氧化层,在所述衬底的表面及在所述沟槽底部留下部分的氧化层;成长一额外的氧化层,顺应性地披覆于前述衬底结构上;以及沉积一导电层在所述衬底结构上并填满所述沟槽,作为所述沟槽式晶体管的栅极。2.如权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所述衬底为一半导体衬底,包括单晶硅衬底、外延硅衬底、硅锗衬底、绝缘层上有硅衬底、及化合物半导体衬底。3.如权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所述的制造方法进一步包括形成一 N型掺杂区、一 P型井区、及一 N型浓掺杂区在所述衬底中,分别作为所述沟槽式晶体管的漏极、通道区及源极。4.如权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,在所述形成一牺牲氧化层的步骤之前,更包括施以一等向性刻蚀,微移除所述沟槽的表5.如权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所述沿垂直方向形成一氧化层的步骤包括施以一高密度等离子体化学气相沉积法。6.如权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,在所述移除所述氧化层及部份的牺牲氧化层的步骤之后,更包括施以一等向性刻蚀,微移除所述沟槽的表面。7.如权利要求1所述的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,其特征在于,所述沉积一导电层在所述衬底结构上并填满所述沟槽包括形成一掺杂多晶硅在所述衬底结构上并填满所述沟槽; 施以一化学机械研磨移除表面多余的所述掺杂多晶硅;以及移除所述衬底结构表面的部分氧化硅层,使露...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘亚胜,
申请(专利权)人:世界先进积体电路股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71
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