薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管的制作方法，包括下列步骤：首先，提供一基 板。接着，于基板上形成一牺牲层。然后，于基板上形成一多晶硅图案层，以 围绕牺牲层。之后，形成一栅极绝缘层，至少覆盖多晶硅图案层。此外，于多 晶硅图案层上方的栅极绝缘层上形成一栅极图案。于多晶硅图案层中形成一源 极区、一漏极区与一有源区，且有源区位于源极区与漏极区之间。另外，形成 一保护层，以覆盖栅极图案与部分栅极绝缘层。之后，于保护层上形成一源极 导电层与一漏极导电层。源极导电层、漏极导电层会分别与多晶硅图案层的源 极区、该漏极区电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法，且特别是有关于一种多晶 硅的薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
在现有的低温多晶硅薄膜晶体管中，其沟道中的晶粒边界(grain boundary) 缺陷是元件特性劣化的主要因素。由于将沟道尺寸縮小至纳米级，可有效改善 沟道中的晶粒边界缺陷的问题。因此，如何制作纳米级沟道(nanowire channel, NW channel)便成为了主要的研究方向。现有纳米级沟道的制作方法主要是利用电子束光刻(electron beam lithography)技术来图案化多晶硅材料，以形成纳米级宽度的沟道。然而，电 子束光刻技术的成本相当高，且无法有效提升产能。因此，以蚀刻方式来制作 纳米级沟道的技术逐渐被釆用。 一般而言，以蚀刻方式来制作纳米级沟道通常 会搭配自我对准形成边衬(self-aligned sidewall spacer)的方式来进行。图1A 1D是现有纳米级沟道的制作流程剖面示意图。请先参考图1A，首 先提供一基板110，并于基板IIO上形成一热氧化层112。之后请参考图1B， 于热氧化层112上形成一栅极114。接着请参考图1C，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，包括：　提供一基板；　于该基板上形成一牺牲层；　于该基板上形成一多晶硅图案层，以围绕该牺牲层；　形成一栅极绝缘层，至少覆盖该多晶硅图案层；　于该多晶硅图案层上方的该栅极绝缘层上形成一栅极图案；　于该多晶硅图案层形成一源极区、一漏极区与一有源区，且该有源区位于该源极区与该漏极区之间；　形成一保护层，以覆盖部分该栅极绝缘层与该栅极图案；以及　于该保护层上形成一源极导电层与一漏极导电层，该源极导电层、该漏极导电层会分别与该多晶硅图案层的该源极区、该漏极区电性连接。

【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管的制作方法，包括提供一基板；于该基板上形成一牺牲层；于该基板上形成一多晶硅图案层，以围绕该牺牲层；形成一栅极绝缘层，至少覆盖该多晶硅图案层；于该多晶硅图案层上方的该栅极绝缘层上形成一栅极图案；于该多晶硅图案层形成一源极区、一漏极区与一有源区，且该有源区位于该源极区与该漏极区之间；形成一保护层，以覆盖部分该栅极绝缘层与该栅极图案；以及于该保护层上形成一源极导电层与一漏极导电层，该源极导电层、该漏极导电层会分别与该多晶硅图案层的该源极区、该漏极区电性连接。2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成该牺 牲层之前，还包括于该基板上形成一缓冲层。3. 如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成该栅 极绝缘层之前，还包括移除该牺牲层。4. 如权利要求l所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成该多晶 硅图案层的步骤包括于该基板上形成一非晶硅图案层；对该非晶硅图案层进行一再结晶处理，以形成一多晶硅图案层。5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该再结晶处 理包括固相再结晶技术。6. 如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该再结晶处 理包括金属诱发侧向结晶技术。7. 如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该再结晶处 理包括激光再结晶技术。8. 如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该保护层具 有暴露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家文，黄俊嘉，张子恒，雷添福，陈司芬，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71