冷MOS的沟槽填充方法以及冷MOS的沟槽结构技术

本发明专利技术提供一种冷MOS的沟槽填充方法，包括步骤：提供N型半导体衬底；在N型半导体衬底上刻蚀出深沟槽；在深沟槽的内壁上形成P型外延层，P型外延层中间留有一道缝隙；将P型外延层中的P型杂质扩散到N型半导体衬底中，形成P型扩散区；将深沟槽内的P型外延层表面高温氧化，由氧化物填充满P型外延层中间的缝隙。相应地，本发明专利技术还提供一种冷MOS的沟槽结构。本发明专利技术在冷MOS超结结构的深沟槽的内壁上生长一层外延层之后，在外延层中间留有一道缝隙，然后通过高温氧化的方法将外延层表面氧化，由氧化物填充满深沟槽内外延层之间的缝隙，从而不需要复杂的工艺就能获得没有缝隙的冷MOS超结结构，避免了工作时发生漏电，保持了器件电学性能的稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，具体来说，本专利技术涉及一种冷MOS的沟槽填充方法以及一种冷MOS的沟槽结构。
技术介绍
冷MOS (Cool M0S)，又名Super Junction MOSFET (超结金属氧化物半导体场效应晶体管)，最先由成都电子科技大学陈星弼院士所专利技术，后转让给德国英飞凌公司。作为功率MOSFET领域里程碑的新型器件，Cool MOS打破了传统功率MOSFET的理论极限，于1998 年问世并很快走向市场。与普通高压MOSFET相比，Cool MOS由于采用新的耐压层结构，利用了超结(Super Junction)的概念，在几乎保持功率MOSFET所有优点的同时，又有着极低的导通损耗，发热量非常低，另外还能够显著减小芯片面积，于是就称为Cool MOS0在此以600伏的功率晶体管为例，使用具有超结结构的C00I MOS的导通电阻只有相同面积的传统功率晶体管的 20%。而且其输出电容、输入电容也同步降低，器件的工作频率特性得到了提高。一般来说，超结结构的实现有两种途径，一种是使用多次注入、多层外延形成超结的方法；另一种是在深沟槽中扩散形成超结的方法。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种冷ＭＯＳ的沟槽填充方法，包括步骤：提供Ｎ型半导体衬底；在所述Ｎ型半导体衬底上刻蚀出深沟槽；在所述深沟槽的内壁上形成Ｐ型外延层，所述Ｐ型外延层中间留有一道缝隙；将所述Ｐ型外延层中的Ｐ型杂质扩散到所述Ｎ型半导体衬底中，形成Ｐ型扩散区；将所述深沟槽内的Ｐ型外延层表面高温氧化，由氧化物填充满所述Ｐ型外延层中间的缝隙。

【技术特征摘要】
1.一种冷MOS的沟槽填充方法，包括步骤 提供N型半导体衬底；在所述N型半导体衬底上刻蚀出深沟槽；在所述深沟槽的内壁上形成P型外延层，所述P型外延层中间留有一道缝隙； 将所述P型外延层中的P型杂质扩散到所述N型半导体衬底中，形成P型扩散区； 将所述深沟槽内的P型外延层表面高温氧化，由氧化物填充满所述P型外延层中间的缝隙。2.根据权利要求1所述的沟槽填充方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。3.根据权利要求1或2所述的沟槽填充方法，其特征在于，所述深沟槽的深度为40 50 μ m，宽度为 1. 5 2μπι。4.根据权利要求2所述的沟槽填充方法，其特征在于，所述P型外延层是由硅烷和硼烷用外延的方法形成的。5.根据权利要求4所述的沟槽填充方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雪萌，龚大卫，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31