上海先进半导体制造股份有限公司专利技术

上海先进半导体制造股份有限公司共有213项专利

  • 本发明公开了一种快恢复二极管和其制造方法,该快恢复二极管包括PN结,PN结包括P区和N区,其中制造方法包括以下步骤:在半导体衬底上制作形成所述PN结;对P区中的目标区域进行氢离子辐照,并对目标区域中的氢离子进行激活,以在目标区域中形成复...
  • 本发明公开了一种超低导通电阻LDMOS及其制作方法,该方法包括P体区光罩版的版图和闸极光罩版的版图的制作步骤,P体区光罩版包括第一P体区区域,闸极光罩版包括第一闸极区域,两个区域相邻且位置相切,P体区光罩版还包括第二P体区区域,其以第一...
  • 本发明公开了一种离子注入机、晶圆片温度的实时监测方法及系统。离子注入机包括靶盘和高真空腔体,高真空腔体壁上开设有一玻璃窗口,玻璃窗口的位置与靶盘上的装载的晶圆片的位置相适应;玻璃窗口的材料为硒化锌玻璃;玻璃窗口用于固设红外探测器的探温探...
  • 本发明公开了一种晶圆片上的TiNiAg层腐蚀均匀性的控制方法及系统,所述控制方法包括:获取晶圆片对应的第一区域;获取所述晶圆片上的TiNiAg层对应的第二区域;其中,所述第二区域中排布若干个管芯;根据所述第一区域和所述第二区域获取所述晶...
  • 本发明公开了一种等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构,所述中心圈结构包括圆环本体和挡板;所述圆环本体的内侧壁上具有沿着所述内侧壁一圈分布的拼接缝;所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁上且遮盖住所述拼接缝。本发明通过在等离子体设备...
  • 本发明公开了一种刻蚀机防止撞片的检测方法及系统,刻蚀机包括机台、主工艺腔、出口腔、出口腔内门和出口腔传送手臂,出口腔内门包括一开门电磁阀回路,该回路包括一电压输出引脚。该系统包括探测器、第一辅助继电器,继电器的常闭触点接入开门电磁阀回路...
  • 本发明公开了一种高耐压大电流增益的衬底PNP晶体管及其制造方法,包括:制备P型衬底;P型衬底上表面生长N型外延层;N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极下隔离区;N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极上隔离区,集电极上、下隔离区...
  • 本发明公开了一种超结场效应晶体管的制作方法,对所述超结场效应晶体管的光刻胶层进行曝光显影处理,以在所述光刻胶层上形成曝光窗口,所述曝光窗口的坡度为85°~88°。本发明在制作超结场效应晶体管时提高了光刻胶层的曝光窗口的坡度,通过对P柱曝...
  • 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中,所述碳化硅肖特基二极管的制备方法包括:制作SiC外延片,所述SiC外延片包括SiC衬底层,SiC衬底层上表面设有SiC外延层;在所述SiC外延层的内部形成P型浮空环;在所述SiC外延...
  • 本发明公开了一种沟槽IGBT和其制作方法,其中制作方法包括以下步骤:在半导体衬底的上表面注入p型杂质离子;对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽;进行牺牲氧化,再进行栅氧化以在半导体衬底的上表面形成第一氧化层和在沟槽中形成栅氧化层;p型杂质离子...
  • 本发明公开了一种IGBT和其制作方法,其中制作方法包括以下步骤:在半导体衬底中注入砷离子以形成第一掺杂区;对第一掺杂区退火,以激活砷离子;在第一掺杂区中注入磷离子,以使第一掺杂区形成IGBT的发射区。本发明有效修复砷离子注入后形成的缺陷...
  • 本发明公开了一种LDMOS和其制作方法,其中制作方法包括以下步骤:在半导体基片上形成衬底区;衬底区包括第一区域;在第一区域内制作第一STI、第二STI、漂移区和中压p阱;在第一区域的上方形成氧化层;在氧化层的上方形成第一多晶硅层;在第一...
  • 本发明公开了一种利用肖特基二极管作场板制作的LDMOS及其制作方法,该方法包括:制备半导体衬底;在半导体衬底内形成N‑漂移区,同时形成肖特基二极管的阴极;在半导体衬底内形成P型注入阱;在P型注入阱与N‑漂移区邻接部分的上表面形成闸极;在...
  • 本发明公开了一种低压屏蔽栅场效应晶体管制作方法,制作方法包括:S1、在半导体衬底的表面形成硅外延层;S2、在硅外延层的表面形成阻挡层;S3、利用光刻工艺在阻挡层定义出沟槽区域,以阻挡层为掩模在沟槽区域对硅外延层进行刻蚀形成沟槽;S4、在...
  • 本发明公开了一种LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备。LPCVD炉管法兰温控装置包括温度传感器、温度控制器、第一继电器、固态继电器、电磁阀和冷却流体管路,温度传感器用于检测法兰的温度,温度控制器的输入端连接温度传感器,以获取温度...
  • 本发明公开了一种制作非对称低中压器件的方法及非对称低中压器件,其中方法包括:在非对称低中压器件的衬底区形成N阱和P阱;在N阱上方的衬底区的上表面制作闸极,闸极与P阱无重合区域;从P阱上方的衬底区的上表面打开窗口,并大角度注入第一掺杂离子...
  • 本发明公开了一种减薄硅片的方法,包括钝化层光刻和钝化层刻蚀步骤,所述钝化层光刻步骤中钝化层光罩版上对应硅片表面的划片道区域的部分定义为不可透光,以使所述钝化层刻蚀步骤中所述硅片表面的划片道区域覆盖光刻胶;所述光刻胶用于阻止所述硅片表面的...
  • 本发明公开了一种用于沟槽填充和控制硅片翘曲度的方法和半导体器件,其中所述方法用于制作具有沟槽结构的半导体器件,方法包括以下步骤:在硅片的背面制作背封;形成应力缓冲层,应力缓冲层覆盖第一沟槽的底面和侧壁,并覆盖第一金属层的上表面;在应力缓...
  • 本发明公开了一种功率半导体器件金属层的清洗方法。该方法包括下述步骤:将覆有金属层的功率半导体器件经第一清洗液、第二清洗液、第三清洗液、第四清洗液和第五清洗液顺序清洗,即可;第一清洗液为H
  • 本发明公开了一种功率器件及其制备方法、应用。该功率器件依次包括相互叠置的一第一氧化层、一氮化硅层、一第二氧化层、一硅片层和一第三氧化层;第一氧化层的厚度为3~5μm;氮化硅层的厚度为0.05~0.2μm;第二氧化层的厚度为0.5~2μm...
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页