等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构制造技术

技术编号:27212533 阅读:31 留言:0更新日期:2021-02-04 11:27
本发明专利技术公开了一种等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构,所述中心圈结构包括圆环本体和挡板;所述圆环本体的内侧壁上具有沿着所述内侧壁一圈分布的拼接缝;所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁上且遮盖住所述拼接缝。本发明专利技术通过在等离子体设备中腔体内的中心圈结构上设置航空铝材质的挡板,来遮住圆环本体内侧壁的拼接缝;在等离子体喷嘴喷射等离子体时,采用挡板隔绝等离子体对密封圈的伤害(如轰击、腐蚀),从而在不影响腔体工艺参数的前提下,有效地延长了密封圈的使用寿命,降低维护成本,减少了设备保养频率,提高了设备的利用率,从而达到了降本增效的目的。从而达到了降本增效的目的。从而达到了降本增效的目的。

【技术实现步骤摘要】
等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构


[0001]本专利技术涉及半导体设备
,特别涉及一种等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构。

技术介绍

[0002]HDP(高密度等离子体)设备为集成电路制造工艺的主流设备,主要用于淀积氧化层如浅槽隔离层、金属层前及层间介电层等。
[0003]在进行HDP工艺时,腔体里的等离子体密度比较高,对腔体的真空度要求也比较高,因此对腔体间的各个密封圈的材质要求也比较严格。全氟材质密封圈的耐等离子体和耐腐蚀性气体的能力均较好,因此目前一般都采用全氟材质的密封圈延长密封圈的保养周期。但是,采用全氟材质的密封圈的方式仍然存在需要频繁更换的情况,3次保养就需要换一次2-3根全氟密封圈产品,其中一根全氟密封圈需要大概6千元人民币,因此仍然存在密封圈保养周期较短,维护成本较高等缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中存在密封圈保养周期较短,维护成本较高等缺陷,提供一种等离子体设备、等离子体设备的腔体及其中心圈结构。
[0005]本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
[0006]本专利技术提供一种等离子体设备中腔体内的中心圈结构,所述中心圈结构包括圆环本体和挡板;
[0007]所述圆环本体的内侧壁上具有沿着所述内侧壁一圈分布的拼接缝;
[0008]所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁上且遮盖住所述拼接缝。
[0009]较佳地,所述圆环本体包括侧壁结构和平台结构;r/>[0010]所述侧壁结构和所述平台结构拼接固定;
[0011]在将所述侧壁结构和所述平台结构拼接后,所述侧壁结构和所述平台结构之间形成所述拼接缝。
[0012]较佳地,所述侧壁结构上分布设置多个等离子体喷嘴;
[0013]所述挡板上开设有多个卡接口;
[0014]在所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁时,每个所述卡接口卡接在一个所述等离子体喷嘴上。
[0015]较佳地,所述平台结构靠近所述侧壁结构处设有第一凹槽;
[0016]所述挡板的远离所述卡接口的一端设有凸台;
[0017]在所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁时,所述凸台卡接在所述第一凹槽内。
[0018]较佳地,所述凸台的厚度和所述第一凹槽的深度相等;和/或,
[0019]所述挡板包括航空铝材质;和/或,
[0020]所述等离子体设备包括高密度的等离子体设备。
[0021]较佳地,多个所述等离子体喷嘴等距设置在所述侧壁结构上。
[0022]本专利技术还提供一种等离子体设备的腔体,其特征在于,所述腔体包括上述的等离子体设备中腔体内的中心圈结构。
[0023]较佳地,所述等离子体设备的腔体还包括腔体底部结构和腔体上盖结构;
[0024]所述中心圈结构固设在所述腔体底部结构上;
[0025]在所述腔体上盖结构盖设在所述中心圈结构时,所述腔体上盖结构与所述腔体底部结构之间形成一个完整腔体结构。
[0026]较佳地,所述腔体还包括多个全氟密封圈;
[0027]所述腔体底部结构靠近所述圆环本体的内侧壁处设有多个第二凹槽;
[0028]每个所述全氟密封圈嵌设在所述第二凹槽内,并通过所述圆环本体的平台结构密封盖设在所述第二凹槽内;
[0029]在所述圆环本体包括等离子体喷嘴,且所述等离子体喷嘴喷射等离子体时,所述挡板用于阻隔等离子体对所述全氟密封圈的轰击。
[0030]本专利技术还提供一种等离子体设备,所述等离子体设备包括至少一个上述的等离子体设备的腔体。
[0031]本专利技术的积极进步效果在于:
[0032]本专利技术中,通过在等离子体设备中腔体内的中心圈结构上设置航空铝材质的挡板,来遮住圆环本体内侧壁的拼接缝;在等离子体喷嘴喷射等离子体时,采用挡板隔绝等离子体对密封圈的伤害(如轰击、腐蚀),从而在不影响腔体工艺参数的前提下,有效地延长了密封圈的使用寿命,降低维护成本,减少了设备保养频率,提高了设备的利用率,从而达到了降本增效的目的。
附图说明
[0033]图1为本专利技术实施例1的等离子体设备中腔体内的中心圈结构中的圆环本体的结构示意图。
[0034]图2为本专利技术实施例1的等离子体设备中腔体内的中心圈结构中挡板的结构示意图。
[0035]图3为本专利技术实施例1的等离子体设备中腔体内的中心圈结构中拼接缝的局部放大结构示意图。
[0036]图4为本专利技术实施例1的等离子体设备中腔体内的中心圈结构的结构示意图。
[0037]图5为本专利技术实施例2的等离子体设备中腔体内的中心圈结构的第一结构示意图。
[0038]图6为本专利技术实施例2的等离子体设备中腔体内的中心圈结构中挡板的结构示意图。
[0039]图7为本专利技术实施例2的等离子体设备中腔体内的中心圈结构的第二结构示意图。
[0040]图8为本专利技术实施例3的等离子体设备中腔体的结构示意图。
[0041]图9为本专利技术实施例3的等离子体设备中腔体内用于布设密封圈的凹槽的结构示意图。
具体实施方式
[0042]下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术,但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。
[0043]实施例1
[0044]本实施例的等离子体设备中腔体内的中心圈结构包括圆环本体1和挡板2。
[0045]如图1所示,为圆环本体1。如图2所示,为挡板2。
[0046]如图3所示,圆环本体1的内侧壁上具有沿着内侧壁一圈分布的拼接缝A。
[0047]挡板2为可灵活安装和取出的结构。
[0048]当对挡板2进行安装时,如图4所示,挡板2贴设在圆环本体1的内侧壁上且遮盖住拼接缝A。
[0049]其中,挡板采用铝材质制成;优选地,采用航空铝材质制成。
[0050]本实施例中,通过在等离子体设备中腔体内的中心圈结构上设置航空铝材质的挡板,来遮住圆环本体内侧壁的拼接缝;在等离子体设备中喷射等离子体时,采用挡板隔绝等离子体对密封圈的伤害(如轰击、腐蚀),从而在不影响腔体工艺参数的前提下,有效地延长了密封圈的使用寿命,降低维护成本,减少了设备保养频率,提高了设备的利用率,从而达到了降本增效的目的。
[0051]实施例2
[0052]本实施例的等离子体设备中腔体内的中心圈结构是对实施例1的进一步改进,具体地:
[0053]如图5所示,圆环本体1包括侧壁结构3和平台结构4;
[0054]侧壁结构3和平台结构4拼接固定;
[0055]在将侧壁结构3和平台结构4拼接后,侧壁结构3和平台结构4之间形成拼接缝A。
[0056]侧壁结构3上分布设置多个等离子体喷嘴5;
[0057]优选地,多个等离子体喷嘴等距设置在侧壁结构上,用于喷射等离子体。
[0058]如图6所示,挡板2上开设有多个卡接口6。
[0059]当挡板2与圆环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体设备中腔体内的中心圈结构,其特征在于,所述中心圈结构包括圆环本体和挡板;所述圆环本体的内侧壁上具有沿着所述内侧壁一圈分布的拼接缝;所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁上且遮盖住所述拼接缝。2.如权利要求1所述的等离子体设备中腔体内的中心圈结构,其特征在于,所述圆环本体包括侧壁结构和平台结构;所述侧壁结构和所述平台结构拼接固定;在将所述侧壁结构和所述平台结构拼接后,所述侧壁结构和所述平台结构之间形成所述拼接缝。3.如权利要求2所述的等离子体设备中腔体内的中心圈结构,其特征在于,所述侧壁结构上分布设置多个等离子体喷嘴;所述挡板上开设有多个卡接口;在所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁时,每个所述卡接口卡接在一个所述等离子体喷嘴上。4.如权利要求3所述的等离子体设备中腔体内的中心圈结构,其特征在于,所述平台结构靠近所述侧壁结构处设有第一凹槽;所述挡板的远离所述卡接口的一端设有凸台;在所述挡板贴设在所述圆环本体的内侧壁时,所述凸台卡接在所述第一凹槽内。5.如权利要求4所述的等离子体设备中腔体内的中心圈结构,其特征在于,所述凸台的厚度和所述第一凹槽的深度相等;和/或,所述挡板包括航空铝材质;和/或,...

【专利技术属性】
技术研发人员:荣海洋
申请(专利权)人:上海先进半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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