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本发明提供一种冷MOS的沟槽填充方法，包括步骤：提供N型半导体衬底；在N型半导体衬底上刻蚀出深沟槽；在深沟槽的内壁上形成P型外延层，P型外延层中间留有一道缝隙；将P型外延层中的P型杂质扩散到N型半导体衬底中，形成P型扩散区；将深沟槽内的P型...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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