室温单电子晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明专利技术的优点至少在于：克服了当前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电子晶体管的能力等方面的问题，同时降低了单电子晶体管的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单电子晶体管的制备方法，尤其涉及一种基于纳米粒子分散及精确定位的室温单电子晶体管制备方法，属于纳米制造领域。
技术介绍
纳米电子学技术(nanoelectronics)作为国家中长期科学和技术发展规划纲要中明确重点部署的重大科学研究内容之一，具有非常重要的意义。在现代信息社会中，信息的获取、放大、存储、处理、传输、转换和显示，都离不开电子学的发展。电子学技术未来的发展，将以“更小，更快，更冷”为目标。“更小”是进一步提高芯片的集成度，“更快”是实现更高的信息运算和处理速度，而“更冷”则是进一步降低芯片的功耗。只有在这三方面都得到同步的发展，电子学技术才能取得新的重大突破。要实现这一目标，电子器件的尺寸将必然进入纳米技术的尺度范围，而单电子晶体管将是逻辑器件发展的最终目标。单电子晶体管具有尺寸小、速度快、功耗低、可大规模集成等优点，可用于单电子存储器、逻辑电路、电流/ 电阻/温度标准，微波或红外探测器等各种应用环境，具有十分广阔的应用前景。典型的单电子晶体管(single electron transistor)基本结构包括两个电极 (源极和漏极)，通过隧穿势垒与两本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种室温单电子晶体管的制备方法，其特征在于，该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种室温单电子晶体管的制备方法，其特征在于，该方法为在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。2.根据权利要求1所述的室温单电子晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤采用微加工工艺在衬底表面上制成单电子晶体管的源极，漏极和栅极；分别采用第一试剂和第二试剂修饰该衬底表面上的电极区域以及非电极区域，令该电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成可引导纳米粒子精确定位的静电漏斗结构；将该衬底浸入纳米粒子的分散液中，使纳米粒子在静电漏斗的引导下落在单电子晶体管的源极与漏极之间；将衬底吹干后，在该衬底表面上沉积一绝缘层。3.根据权利要求1或2所述的室温单电子晶体管的制备方法，其特征在于所述衬底厚度为280μπι 2mm，该衬底优选采用带有二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底、蓝宝石衬底和玻璃衬底中的任意一种。4.根据权利要求1或2所述的室温单电子晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：李加东，吴东岷，谢杰，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：32