温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。