The present invention provides a laterally double diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacturing the same. Including the lateral double diffused metal oxide semiconductor device of the present invention is the manufacturing method: first ion implantation steps for ion implantation to form a first source region and a first drain region; a gate oxide layer deposition step, used in the first source region and a first drain region between the gate oxide deposition; step of forming the polysilicon gate. For polysilicon gate is formed on the gate oxide layer; and second ion implantation steps for RE ion implantation to form a second source region and the drain region second. By employing a method of manufacturing a laterally dual diffused metal oxide semiconductor device according to the present invention, the substrate current is improved by ion implantation in the two active region.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法、以及一种根据所述横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法制造的横向双扩散金属氧化物半导体器件。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是本领域公知的一种半导体器件。 LDMOS器件为相当近似于传统场效应晶体管(FET)器件的一种场效应晶体管器件。与传统场效应晶体管器件一样，LDMOS器件包括在半导体衬底中形成一对被沟道区域所分隔开来的源/漏极区域，并且依次于沟道区域上方形成栅电极。然而，LDM OS器件与传统FET器件不同的部分是传统的FET器件中的一对源/漏极区域制成与栅电极相对称，而LDMOS器件中的漏极区域比源极区域更远离栅电极形成， 并且漏极区域同时形成于用以分隔开沟道区域与漏极区域的掺杂阱(具有与漏极区域相同极性)中。LDMOS器件基本上是一种非对称性的功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，其具有共平面的漏极和源极区域，利用双扩散工艺制成。目前，LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。在现有的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法中，如图1至图3所示，在对...
【技术保护点】
１．一种横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于包括：第一离子注入步骤，用于进行离子注入以形成第一源极区域以及第一漏极区域；栅极氧化物层沉积步骤，用于在第一源极区域以及第一漏极区域之间沉积栅极氧化物层；多晶硅栅极形成步骤，用于在栅极氧化物层上形成多晶硅栅极；以及第二离子注入步骤，用于再次进行离子注入以形成第二源极区域以及第二漏极区域。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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