超结结构和超结半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明专利技术具有以下优点：第一，避免采用多次外延、多次注入的方式形成超结；第二、可以确保槽栅底部与体区下界面平齐或略低，从而提高器件耐压，并降低栅-源和栅-漏电容；第三，由于沟槽的深度降低，小角度注入的工艺难度降低，工艺容差增加，且拓展沟槽内介质的填充和平坦化更容易；第四、不需要复杂的掩模，避免了小角度注入对沟道区的影响；第五、避免拓展槽填充及平坦化、槽栅制作以及平坦化对已形成的体区、体接触区以及源区产生不利影响。

Super junction structure and method for manufacturing super junction semiconductor device

The invention discloses a super junction structure and super junction semiconductor device manufacturing method, by etching groove, small angle ion implantation, filled with insulating medium and flat, after the key steps of the active layer and the electrode process of formation of new semiconductor super junction and super junction device. Compared with the prior art, the invention has the following advantages: first, to avoid the use of multiple extension, many times into the form of super junction; second, can ensure that the groove gate bottom and body region interface flush or slightly lower, so as to improve the breakdown voltage, and reduce the gate source and gate drain capacitance; third, due to the trench the depth is reduced, the technical difficulty of small angle injection reduction process tolerance increased, and expand the groove media filling and planarization easier; fourth, do not need complex mask, avoid the small angle injection effect on the channel region; fifth, avoid expanding slot filling and planarization, grooved gate and production flat have an adverse effect on the body area, has formed the body contact region and a source region.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超结结构的制造方法和超结半导体器件的制造方法。
技术介绍
功率MOSFET是多子导电型器件，具有输入阻抗高、频率高、导通电阻具有正温度 系数等诸多优点。这些优点使其在功率电子领域得到了广泛应用，大大提高了电子系统的 效率。器件耐高压需要漂移区较长且漂移区掺杂浓度低。然而，随 着漂移区长度的增加和掺杂浓度的降低，导致器件的导通电阻0增 加，开态功耗增大，器件导通电阻t与击穿电压BV存在如下关系即权利要求1. 一种，其特征在于包括如下步骤a、在半导体衬底上外延形成第一导电类型的半导体漂移区；b、在所述第一导电类型的半导体漂移区上，沿所述的第一导电类型的半导体漂移区的 顶部向所述半导体衬底刻蚀，直到半导体衬底，形成第一沟槽；C、在所述第一导电类型的半导体漂移区顶部覆盖注入掩蔽层，通过第一沟槽的两内侧 壁，采用小倾角离子注入将第一沟槽两内侧壁变为与第一导电类型相反的第二导电类型的 半导体漂移区；所述第一导电类型的半导体漂移区和第二导电类型的半导体漂移区形成超 结，超结构成器件的漂移区；超结在第一沟槽两外侧对称分布；d、在所述第一沟槽中填充绝缘介质，使绝缘介质上表面高于漂本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：ａ、在半导体衬底上外延形成第一导电类型的半导体漂移区；ｂ、在所述第一导电类型的半导体漂移区上，沿所述的第一导电类型的半导体漂移区的顶部向所述半导体衬底刻蚀，直到半导体衬底，形成第一沟槽；ｃ、在所述第一导电类型的半导体漂移区顶部覆盖注入掩蔽层，通过第一沟槽的两内侧壁，采用小倾角离子注入将第一沟槽两内侧壁变为与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体漂移区；所述第一导电类型的半导体漂移区和第二导电类型的半导体漂移区形成超结，超结构成器件的漂移区；超结在第一沟槽两外侧对称分布；ｄ、在所述第一沟槽中填充绝缘介质，使绝缘介质上表面高于漂移...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗小蓉，姚国亮，王元刚，雷天飞，葛瑞，陈曦，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90