The invention discloses a static random access memory, including: used to write the control circuit module to control the static random access memory write information; the first reverse circuit includes a first PMOS transistor and a first resistor, the first inverter circuit is connected to the coupling write control circuit module and the write control circuit module connected to form a first storage node of lotus second; reverse circuit comprises second NMOS transistors and second resistors, the second reverse circuit is connected between a voltage source and a complementary voltage source; and the coupling is connected to a word line read and a read bit line and the first reverse circuit and the second circuit formed by second lotus reverse common storage read buffer circuit node; the invention uses only four transistors and two resistors to achieve the dual port SRAM unit, is easy to read and write speed increasing, and its circuit is simple, Save space, facilitate capacity expansion and layout.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种半导体内存装置，特别是关于一种采用四晶体管实现双口的静态 随机存取存储器。
技术介绍
静态随机存取存储器(SRAM)常被用于计算机系统中暂时存储数据。只要持续有 电源提供，SRAM可保持其存储状态而不需要任何数据更新的操作。SRAM装置包括由“单元” 组成的阵列，每个单元可存储一 “位”数据。典型的SRAM单元可包括两个交叉藕接的反相 器以及藕接反相器至两条互补位线的两个存取晶体管。两个存取晶体管是由字线控制以选 择读或写操作所需的单元。在读取操作时，存取晶体管导通，以允许保留在交叉藕接的反相 器的储存节点的电荷可通过位线与互补位线读取。在写入操作时，存取晶体管导通并且位 线或互补位线的电压提高至一定程度的电压水平，以决定单元的存储状态。图1为传统的四晶体管单口 SRAM单元的结构图。图1中，传统的单口 SRAM单元 包括四个晶体管(NM0S晶体管Ni、N2、N3、N4以及两个电阻(电阻Rl及R2)，其中NMOS晶 体管N3与N4栅极接至字线WL，NM0S晶体管N3与N2漏极分别接位线BL与互补位线BLb， N3源极接至电阻Rl与NMOS晶体管...
【技术保护点】
１．一种静态随机存取存储器，至少包含：写控制电路模块，藕接至一写位线与一写字线，用于对该静态随机存取存储器写入信息状态进行控制；第一反向电路，至少包括第一ＰＭＯＳ晶体管与第一电阻，该第一ＰＭＯＳ晶体管漏极与该写控制电路模块藕接形成第一储存节点，并通过该第一电阻接至互补电压源，源极接至电压源，栅极与第二反向电路及读出缓冲电路藕接；第二反向电路，至少包括第二ＮＭＯＳ晶体管与第二电阻，该第二ＮＭＯＳ晶体管源极接至该互补电压源，栅极与该第一反向电路及该第一ＰＭＯＳ晶体管漏极共同连接形成该第一储存节点，漏极与该第一ＰＭＯＳ晶体管栅极相连于第二储存节点，并通过该第二电阻接至该电压源；以...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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