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本发明公开一种静态随机存取存储器，包含：用于控制该静态随机存取存储器写入信息的写控制电路模块；包括第一PMOS晶体管与第一电阻的第一反向电路，该第一反向电路藕接于该写控制电路模块并与该写控制电路模块藕接形成第一储存节点；包括第二NMOS晶体...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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