静态随机存取存储器制造技术

提供一种静态随机存取存储器，软错误的宽容性好。它包括：第一互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的漏区的第一电子传导型场效应晶体管；与第一电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管；第二互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的第二漏区的第二电子传导型场效应晶体管；以及与第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第一及第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在相对的互补型场效应晶体管的共有漏区上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有互补型场效应晶体管的静态随机存取存储器(以下称SRAM)。
技术介绍
作为高速且低功耗的半导体存储器，有用互补型绝缘栅场效应晶体管(以下称CMOS)构成的SRAM。CMOS具有电子传导型场效应晶体管和空穴传导型场效应晶体管，SRAM的各存储单元具有两个CMOS、以及连接在各CMOS上的构成传输门的场效应晶体管。在这些场效应晶体管中，如果α线或中性粒子线横切在漏区的高浓度杂质扩散层和衬底阱之间形成的耗尽层，则因此而生成的电子或空穴受耗尽层中的电场作用而被收集在漏区中，存在发生使SRAM的逻辑状态反转的软错误的问题。另一方面，为了CMOS的微细化，提出了将肖特基结用于空穴传导型及电子传导型的场效应晶体管的漏区，进行共用化的方案(参照专利文献1)。<专利文献1>日本专利申请特开2000-124329公报在现有的SRAM中，由于α线或中性粒子线入射到场效应晶体管的衬底内的耗尽层中，所以存在频频发生软错误的问题。本专利技术将改善这样的SRAM单元中的软错误的宽容性作为目的之一。
技术实现思路
为了解决上述课题，根据本专利技术的第一方面，提供一种静态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取存储器，其特征在于包括：第一互补型场效应晶体管，该第一互补型场效应晶体管具备：具有与半导体衬底构成肖特基结的第一漏区、以及在上述半导体衬底上形成的栅极的第一电子传导型场效应晶体管；以及与上述第一电子传导型场效应晶体管 共有第一漏区，在上述半导体衬底上具有与上述第一电子传导型场效应晶体管共用化了的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管，第一传输门，该第一传输门由与上述第一互补型场效应晶体管共有上述第一漏区的场效应晶体管构成，第二互补型场效应晶体管 ，该第二互补型场效应晶体管具备：具有与上述半导体衬底构成肖特基结的第二漏区、以及在上述半导体衬底...

【技术特征摘要】
JP 2003-9-24 2003-3321071.一种静态随机存取存储器，其特征在于包括第一互补型场效应晶体管，该第一互补型场效应晶体管具备具有与半导体衬底构成肖特基结的第一漏区、以及在上述半导体衬底上形成的栅极的第一电子传导型场效应晶体管；以及与上述第一电子传导型场效应晶体管共有第一漏区，在上述半导体衬底上具有与上述第一电子传导型场效应晶体管共用化了的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管，第一传输门，该第一传输门由与上述第一互补型场效应晶体管共有上述第一漏区的场效应晶体管构成，第二互补型场效应晶体管，该第二互补型场效应晶体管具备具有与上述半导体衬底构成肖特基结的第二漏区、以及在上述半导体衬底上形成的栅极的第二电子传导型场效应晶体管；以及与上述第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，在上述半导体衬底上具有与上述第二电子传导型场效应晶体管共用化了的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第二传输门，该第二传输门由与上述第二互补型场效应晶体管共有上述第二漏区的场效应晶体管构成，上述第一互补型场效应晶体管的共用栅极连接在上述第二漏区上，上述第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在上述第一漏区上。2.一种静态随机存取存储器，其特征在于包括第一互补型场效应晶体管，该第一互补型场效应晶体管具备具有与半导体衬底构成肖特基结的第一漏区、以及在上述半导体衬底上形成的栅极的第一电子传导型场效应晶体管；与上述第一电子传导型场效应晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：松泽一也，内田建，中内孝浩，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]