半导体器件制造技术

一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。本发明专利技术还涉及制造所述半导体薄膜的方法和含有该半导体薄膜的器件和电器。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体薄膜，它具有一区域，其实质上被看作单晶(下面称作“单畴区域”)，其形成在具有绝缘表面的衬底上，并且涉及一种使用该半导体薄膜作为有源层的半导体器件。特别是，本专利技术涉及一种薄膜晶体管，其使用结晶硅膜作为有源层。另外本专利技术还分别涉及上述半导体薄膜和上述薄膜晶体管的制造方法以及包含所述半导体薄膜和所述薄膜晶体管的各种电器和器件。
技术介绍
近年来，采用在具有绝缘表面的衬底上形成硅半导体薄膜(厚度几百至几千埃)来制成薄膜晶体管(TFT)的技术已引起人们极大的关注。薄膜晶体管可广泛地应用于各种电子器件，如IC和液晶显示器件。薄膜晶体管最重要的部分即心脏是沟道形成区域和沟道形成区与源和漏区之间的结部。也就是，可以说有源层最影响薄膜晶体管的性能。由等离子体CVD法或低压热CVD法所制成的非晶硅薄膜通常可用作半导体薄膜，以构成薄膜晶体管的有源层。目前，使用非晶硅膜的薄膜晶体管已实际使用了，然而，当要求较高速度操作时，就需要使用具有结晶度的硅薄膜(称作结晶硅膜)的薄膜晶体管。用以在衬底上形成结晶硅膜的公知方法的例子在日本未审专利公告号平6-232059和平-6-24本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，所述静态随机存取存储器包括：在一个衬底之上的一个字线；在所述衬底之上、与所述字线垂直交叉的一个位线；在所述衬底之上的至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中所述第一薄膜晶体管的栅电极连接到所述第二薄膜晶体管的源区或漏区；其中所述第二薄膜晶体管的栅电极连接到所述第一薄膜晶体管的源区或漏区、且电连接到所述位线；每个所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区的一个半导体薄膜；与所述沟道区相邻的一个栅电极，一个栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间；其中所述源区和所述漏区包括金属硅化物。

【技术特征摘要】
JP 1996-2-23 61891/1996;JP 1996-2-23 61892/19961.一种含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，所述静态随机存取存储器包括在一个衬底之上的一个字线；在所述衬底之上、与所述字线垂直交叉的一个位线；在所述衬底之上的至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中所述第一薄膜晶体管的栅电极连接到所述第二薄膜晶体管的源区或漏区；其中所述第二薄膜晶体管的栅电极连接到所述第一薄膜晶体管的源区或漏区、且电连接到所述位线；每个所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区的一个半导体薄膜；与所述沟道区相邻的一个栅电极，一个栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间；其中所述源区和所述漏区包括金属硅化物。2.根据权利要求1的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述静态随机存取存储器还包括与所述第一薄膜晶体管的源区或漏区相连接的一个第一电阻；与所述第二薄膜晶体管的源区或漏区相连接的一个第二电阻。3.根据权利要求1的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述静态随机存取存储器还包括位于所述第一薄膜晶体管的源区或漏区和所述位线之间的一个第三薄膜晶体管；和位于所述第二薄膜晶体管的源区或漏区和所述字线之间的一个第四薄膜晶体管；其中所述第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的栅电极与所述字线相连接。4.根据权利要求1的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于每个所述第一和第二薄膜晶体管包括与所述衬底平行延伸的晶体硅。5.根据权利要求1的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述源区和漏区含有硅化镍。6.根据权利要求1的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述半导体器件被装入从含有电视照相机、头戴式显示器、汽车导航装置、投影显示器、摄像机、个人计算机和蜂窝电话的组中选出的一个电子设备中。7.一种含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，所述静态随机存取存储器包括在一个衬底之上的一个字线；在所述衬底之上、与所述字线垂直交叉的一个位线；在所述衬底之上的至少第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中所述第一薄膜晶体管的栅电极连接到所述第二薄膜晶体管的源区或漏区；其中所述第二薄膜晶体管的栅电极连接到所述第一薄膜晶体管的源区或漏区、且电连接到所述位线；每个所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括形成在一个绝缘膜上的、包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区的一个半导体薄膜；与所述沟道区相邻的一个栅电极，一个栅绝缘膜位于所述栅电极和所述沟道区之间；其中所述源区和所述漏区包括金属硅化物；和其中所述绝缘膜具有在其上表面上的高度小于30的至少一个表面粗糙度。8.根据权利要求7的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述静态随机存取存储器还包括与所述第一薄膜晶体管的源区或漏区相连接的一个第一电阻；与所述第二薄膜晶体管的源区或漏区相连接的一个第二电阻。9.根据权利要求7的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述静态随机存取存储器还包括位于所述第一薄膜晶体管的源区或漏区和所述位线之间的一个第三薄膜晶体管；和位于所述第二薄膜晶体管的源区或漏区和所述字线之间的一个第四薄膜晶体管；其中所述第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的栅电极与所述字线相连接。10.根据权利要求7的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于每个所述第一和第二薄膜晶体管包括与所述衬底平行延伸的晶体硅。11.根据权利要求7的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述源区和漏区含有硅化镍。12.根据权利要求7的含有至少一个静态随机存取存储器的半导体器件，其特征在于所述半导体器件被装入从含有电视照相机、头戴式显示器、汽车导航装置、投影显示器、摄像机、个人计算机和蜂窝电话的组中选出的一个电子设备中。13.一种含有至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，宫永昭治，小山润，福永健司，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[]