静态随机存取存储器制造技术

一种具有增进预防软错记能力的ＳＲＡＭ的存储单元，将其ＳＲＡＭ存储单元的每一个存储节点连接至一个覆盖的电极，该电极具有取向生长表面（ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｓｕｒｆａｃｅ），并以一电介质层与一恒定电位板电极分离开。具有取向成长表面的覆盖电极可以利用在其表面上形成半球形晶粒硅，或者在其表面上形成鳍状构造（ｆｉｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）而产生。覆盖电极的取向成长表面可在覆盖电极与恒定电位板电极之间增加电容量，藉以增加存储节点的电容量。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)，特别是涉及一种具有改进可靠性的SRAM。集成电路之内的元件密度可以利用缩减空间的集成电路设计(reducedgeometry integrated circuit designs)原则，来增加集成电路的性能以及降低其实际成本。包含DRAM，SRAM，ROM，EEPROM等的现代集成电路存储器件都是利用此存储单元(memory cell)的原则的明显实例。集成电路存储器件内的密度正持续地增加，而与之伴随的是这类器件的单位位元存储成本的相应降低。密度的增加是利用在器件内制作较小的结构，以及利用缩减元件之间或构成元件的结构之间的分隔空间而完成的。通常，这类较小尺寸的设计准则(design rules)会伴随有布局，设计以及构造的修正，当使用这类较小尺寸的设计准则时，这些修正改变要通过缩减元件的大小才能实现，而且还要维持器件性能。作为一种实例，在多种现有的集成电路之中其操作电压的降低，是由于诸如缩减栅极氧化物厚度，以及增进微影程序控制上的误差才可能完成的。另一方面，缩减尺寸的设计准本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＲＡＭ，其具有字线与位线以供读取ＳＲＡＭ的存储单元，这些ＳＲＡＭ存储单元包括：一第一晶体管，具有一第一栅极与连接至一第一电荷存储节点的第一源极／漏极区；一第二晶体管，具有一第二栅极与连接至一第二电荷存储节点的第二源极／漏极区，该第一栅极连接至该第二电荷存储节点，而该第二栅极则连接至该第一电荷存储节点；以及一第一电荷存储电容，其连接至该第一电荷存储节点，该第一电荷存储电容包括一具有取向生长表面纹路的下侧电极、一电介质层、与一上方电极，该上方电极被连接至一个恒定电位。

【技术特征摘要】
1.一种SRAM，其具有字线与位线以供读取SRAM的存储单元，这些SRAM存储单元包括一第一晶体管，具有一第一栅极与连接至一第一电荷存储节点的第一源极/漏极区；一第二晶体管，具有一第二栅极与连接至一第二电荷存储节点的第二源极/漏极区，该第一栅极连接至该第二电荷存储节点，而该第二栅极则连接至该第一电荷存储节点；以及一第一电荷存储电容，其连接至该第一电荷存储节点，该第一电荷存储电容包括一具有取向生长表面纹路的下侧电极、一电介质层、与一上方电极，该上方电极被连接至一个恒定电位。2.如权利要求1所述的SRAM，其中该具有取向生长表面纹路的下侧电极由经掺杂的多晶硅层构成，其具有由半球形晶粒多晶硅所构成的表面层。3.如权利要求1所述的SRAM，其中该具有取向生长表面纹路的下侧电极由经掺杂的多晶矽层构成，其纹路对应于经蚀刻的半球形晶粒多晶硅层。4.如权利要求1所述的SRAM，其中该具有取向生长表面纹路的下侧电极由经掺杂的多晶硅层构成，其具有多个导体，由具有纹路的下侧电极的核心部分垂直延伸而出。5.如权利要求1所述的SRAM，其中该具有取向生长表面纹路的下侧电极，在其表面上具有多个经掺杂的多晶硅鳍或柱。6.如权利要求1所述的SRAM，这些SRAM存储单元还包括一第二电荷存储电容，其连接至该第二电荷存储节点，该第二电荷存储节点包括具有取向生长表面纹路的下侧电极、一电介质层、与连接至恒定电位的一上方电极。7.如权利要求6所述的SRAM，这些SRAM存储单元还包括一耦接于该第一电荷存储节点与一第一位线之间的第一转换晶体管，以及一耦接于该第二电荷存储节点与一第二位线之间的第二转换晶体管，其中该第一与第二晶体管以及该第一与第二转换晶体管制作于一基底的一表面上。8.如权利要求7所述SRAM，还包括位于该第一与第二晶体管以及该第一与第二转换晶体管上的一层绝缘材料，其中该第一与第二电荷存储电容形成于该层绝缘材料之上。9.一种具有存储单元的SRAM，其包括一耦接于一高参考电位与一较低参考电位之间的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙世伟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]