温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种具有增进预防软错记能力的ＳＲＡＭ的存储单元，将其ＳＲＡＭ存储单元的每一个存储节点连接至一个覆盖的电极，该电极具有取向生长表面（ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｓｕｒｆａｃｅ），并以一电介质层与一恒定电位板电极分离开。具有取向成长表面的覆盖电极可以利...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。