【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及器件和器件的制造方法，特别涉及纵向晶体管。在器件制造中，在衬底上形成绝缘层，半导体层和导电层。对这些膜层构图以确定图形和间隔。图形和间隔的最小尺寸或部特征尺寸(F)取决于光刻系统的分辨力。构形和间隔以形成器件，如晶体管，电容器和电阻器。之后，这些器件互连而获得规定的电功能。用常规制造方法，如氧化，离子注入，淀积，硅外延生长，光刻和腐蚀等形成各器件层并对它们构图。这些方法已由S.M.Sze.VLSI Technology.and ed.，New York，McGraw-Hill，1988年公开，这里引作参考。随机存取存储器，如动态随机存取存储器(DRAM)，包括很多排列成行和列结构的存储器单元，用于存储信息。一种存储器单元包括用导电带连到例如沟道电容器的晶体管。通常电容器叫做“节”。当触发时，晶体管使数据阅读或写入电容器中。不断要求缩小器件有助于更大密度和更小特征尺寸和单元面积的DRAM的设计。例如，已研究了使常规单元面积8F2减小到接近和低于6F2。但是，这种密集封装的小特征和单元尺寸的制造有困难。例如，小型化造成的掩模级涂层的灵敏度使DRAM...
【技术保护点】
一种随机存取存储器单元，包括：在衬底中形成的沟道电容器，其中，沟道电容器的顶表面凹入衬底顶表面之下；一浅沟槽隔离（ＳＴＩ），该ＳＴＩ覆盖部分沟道电容器，以便在沟道电容器上留下剩余部分；一晶体管，相对着ＳＴＩ位于衬底上，该晶体管包 括栅，漏和源，该栅包括具有位于衬底表面上的水平部分和涂到沟道电容器上和衬底表面下的剩余部分的垂直部分的导电层；一介质层，位于沟道电容器上，使第二栅部分与沟道电容器隔开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1997-6-11 8727801.一种随机存取存储器单元，包括在衬底中形成的沟道电容器，其中，沟道电容器的顶表面凹入衬底顶表面之下；一浅沟槽隔离(STI)，该STI覆盖部分沟道电容器，以便在...
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