晶片处理液及其制造方法技术

晶片处理液，是在２０～６０ｗｔ％的氢氟酸中，是将以下至少一种以０．１～１０００ｐｐｍ溶解，剩余部分为水，合计１００ｗｔ％所组成的，Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［２ｎ＋１］ｐｈ（ＳＯ↓［３］Ｍ）Ｏｐｈ（ＳＯ↓［３］Ｍ），其中ｐｈ为亚苯基，ｎ为５～２０，Ｍ表示氢或盐；Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［２ｎ＋１］ｐｈＯ（ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］Ｏ）↓［ｍ］ＳＯ↓［３］Ｍ，其中ｐｈ为亚苯基，ｎ为５～２０，ｍ为０～２０，Ｍ表示氢或盐；和Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［２ｎ＋１］Ｏ（ＣＨ↓［２］ＣＨ↓［２］Ｏ）↓［ｍ］ＳＯ↓［３］Ｍ，其中ｎ为５～２０，ｍ为０～２０，Ｍ表示氢或盐。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及硅晶片处理及制造晶片处理液的方法，更详细地说，是防止因硅晶片表面微粒所致污染的硅。在由硅单晶组成的半导体基片(晶片)上形成的LSI(大规模集成电路)半导体集成电路装置的制造工序中，在使基片表面的氧化膜(SiO2)形成图案，或在热处理工序中去除基片表面形成的自然氧化膜时，需要使用氟化氢的水溶液(HF)进行湿法蚀刻处理。此外，在SiO2表面的蚀刻处理时，需用氢氟酸(HF)水溶液或缓冲氢氟酸水溶液(HF-NH4F-H2O)进行处理。还有，在Si3N4蚀刻处理时，可用磷酸(H3PO4)水溶液进行处理。再有，在硅表面蚀刻处理时，用氢氟酸(HF)-硝酸(HNO3)水溶液或氢氟酸(HF)-硝酸(HNO3)-醋酸(CH3COOH)水溶液进行处理。此外，在布线工序等中，在去除附着于基片表面的金属时，用氢氟酸(HF)水溶液，氢氟酸(HF)-过氧化氢(H2O2)水溶液或盐酸(HCl)-过氧化氢(H2O2)水溶液进行湿法洗净处理。在这些湿法洗净处理中，为了防止在去除了上述氧化膜或金属后的活性基片表面上附着异物，为使蚀刻液或洗净液循环过滤，保持蚀刻液或洗净液的清净度，需采取措施。然而，随着本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.晶片处理液，是在20～60wt％的氢氟酸中，是将以下至少一种以0.1～1000ppm溶解，剩余部分为水，合计100wt％所组成的，CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)，其中ph为亚苯基，n为5～20，M表示氢或盐；CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M，其中ph为亚苯基，n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐；和CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M，其中n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐。2.晶片处理液的制造方法，是将权利要求1中的处理液用水稀释，在0.1～5wt％的氢氟酸中，将以下至少一种溶解0.1～100ppm，剩余部分为水，合计100wt％所组成的，CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)，其中ph为亚苯基，n为5～20，M表示氢或盐；CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M，其中ph为亚苯基，n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐；和CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M，其中n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐。3.晶片处理液的制造方法，是在权利要求1的处理液中添加水，H2O2，在0.1～10wt％的氢氟酸，0.01～30wt％的H2O2中，将以下至少一种溶解0.1～100ppm，剩余部分为水，合计100wt％所组成的，CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)，其中ph为亚苯基，n为5～20，M表示氢或盐；CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M，其中ph为亚苯基，n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐；和CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M，其中n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐。4.晶片处理液的制造方法，是在权利要求1的处理液中添加水，HNO3，在0.1～50wt％的氢氟酸，0.1～70wt％的HNO3中，将以下至少一种溶解0.1～100ppm，剩余部分为水，合计100wt％所组成的，CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)，其中ph为亚苯基，n为5～20，M表示氢或盐；CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M，其中ph为亚苯基，n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐；和CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M，其中n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐。5.晶片处理液的制造方法，是在权利要求4的处理液中，进一步添加CH3COOH至0.1～50wt％而组成的。6.晶片处理液的制造方法，是在权利要求1的处理液中，添加水，NH4F，在0.1～10wt％的氢氟酸，1～40wt％的NH4F中，将以下至少一种以0.1～100ppm溶解，剩余部分为水，合计100wt％所组成的，CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)，其中ph为亚苯基，n为5～20，M表示氢或盐；CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M，其中ph为亚苯基，n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐；和CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M(n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐。7.晶片处理液，是在0.1～5wt％的氢氟酸中，将以下至少一种以0.1～1000ppm溶解，剩余部分为水，合计100wt％所组成的，CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)，其中ph为亚苯基，n为5～20，M表示氢或盐)；CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M，其中ph为亚苯基，n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐；和CnH2n+1O(CH2CH2O)mSO3M，其中n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐。8.晶片处理液，是在0.1～10wt％的氢氟酸，0.01～30wt％的H2O2中，将以下至少一种表面活性剂溶解0.1～1000ppm，剩余部分为水，合计100wt％所组成的，CnH2n+1ph(SO3M)Oph(SO3M)，其中ph为亚苯基，n为5～20，M表示氢或盐；CnH2n+1phO(CH2CH2O)mSO3M，其中ph为亚苯基，n为5～20，m为0～20，M表示氢或盐；...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛塚健彦，陶山诚，上谷文宏，板野充司，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：