半导体存储器件及其制造方法技术

高速／大容量ＤＲＡＭ（动态随机存取存储器）通常每０．１秒刷新一次，这是因为漏电流使其丢失存储的信息。ＤＲＡＭ在切断电源时也丢失存储的信息。同时，非易失ＲＯＭ（只读存储器）不能构成为高速／大容量存储器。本发明专利技术的半导体存储器件，通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝，实现了非易失特性，而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成于半导体衬底上的。半导体存储器一般分为RAM(随机存取存储器)和ROM(只读存储器)。在半导体存储器中，计算机中作为工作存储器大量使用的是动态RAM(以下称为DRAM)。在DRAM中，用于存储信息的存储单元，由一个存储电容器和用于读取电容器中存储的电荷的晶体管组成。在各种RAM中，DRAM由最少数量的元件组成，因此适用于大规模集成电路。于是，已经大规模地生产这种低成本的半导体存储器。经过一定的时间之后这种DRAM将丢失其中存储的信息，这是因为存储在电容器中的电荷，被半导体衬底中产生的热激发电荷或者因强电场产生的碰撞电离电荷所消除。热激发电荷和碰撞电离电荷构成了漏电流。基于此原因，在DRAM丢失其中存储的信息之前，DRAM被刷新以便重新存储电荷。通常，以约100ms的间隔进行刷新。这类半导体存储器被称为动态RAM的原因就是因为这种工作模式。在DRAM中，为了避免上述漏电流、工作伴生的内噪声和α粒子引起的干扰，实际上很难把存储电容器的电平设定在特定值以下。换言之，存在最小的信号电荷量，其取决于存储器的集成度和存储器阵列的构形，并被认为对16Mb的DRAM而言等同于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：由形成在半导体衬底上的晶体管栅极构成的存储节点；具有半导体区和阻挡绝缘体的多层结构，所述结构与所述存储节点连接；其中，利用所述阻挡绝缘体进行电荷的写入和／或擦除。

【技术特征摘要】
JP 1997-10-7 274090/971．一种半导体存储器件，包括由形成在半导体衬底上的晶体管栅极构成的存储节点；具有半导体区和阻挡绝缘体的多层结构，所述结构与所述存储节点连接；其中，利用所述阻挡绝缘体进行电荷的写入和/或擦除。2．根据权利要求1的半导体存储器件，其中，所述存储节点和所述具有半导体区和阻挡绝缘体的多层结构，在垂直于所述半导体衬底的方向相互叠置。3．根据权利要求1的半导体存储器件，其中，在所述存储节点上经过绝缘体设置电极，用于读取存储单元的信号。4．根据权利要求1的半导体存储器件，其中，所述器件布置成矩阵。5．一种半导体存储器件，包括存储单元、和与所述存储单元连接的数据线、字线和读出线；其中，所述存储单元具有存储电荷的存储节点；作为通道的写入元件，电荷通过所述通道被注入所述存储节点或从所述存储节点释放；和检测所述存储节点的电荷存储状态的读取元件；所述读取元件具有第一晶体管，其阈值随所述存...

【专利技术属性】
技术研发人员：角南英夫，伊藤清男，田寿一，中里和郎，水田博，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]