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高速／大容量ＤＲＡＭ（动态随机存取存储器）通常每０．１秒刷新一次，这是因为漏电流使其丢失存储的信息。ＤＲＡＭ在切断电源时也丢失存储的信息。同时，非易失ＲＯＭ（只读存储器）不能构成为高速／大容量存储器。本发明的半导体存储器件，通过利用隧道绝缘...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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