在基底上制作具有电荷存储电容的存储元件的方法技术

一种在基底上制作具有电荷存储电容的存储元件的方法，包括在形成的晶体管上形成不同材料的第一与第二绝缘层，形成曝露第一源／漏极区的第一接触窗，沉积第一多晶硅层和第三绝缘层，形成第二接触窗并以第二多晶硅层充填，研磨以除去第二多晶硅层的多余部分，除去第三绝缘层曝露出多晶硅超构造，再形成下电极、电介质层和上电极。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体元件之内，掺杂区上的电容结构的制作，特别是涉及可在动态随机存取存储(DRAM，Dynamic Random-Access Memory)元件内存储电荷的电容元件的制作。DRAM元件内存储单元尺寸不断缩小，从而DRAM的存储密度不断增加，这表明存储单元内构造尺度缩减，制作这种小型构造时困难相对增加。典型的DRAM存储单元包括一电荷存储电容，其电连接至一“传递”MOS晶体管(“pass”MOS transistor)的漏极，传递晶体管的作用在于做为一个切换开关，在数据读出或写入程序进行期间，其可以选择性地将电荷存储电容耦接至存储单元的信号线，以便对电容进行放电或充电。随着DRAM存储单元制作得越来越小，传递晶体管的尺寸必须很小，同时也必须使存储单元电容能够将存储在其中的电荷量维持于必要的程度之上。依照较小的设计准则来制作DRAM时所发生的一种困难是，DRAM的电荷存储电容制作得很小，难于维持可接受程度的电荷量。若电容所存储的电荷量太小，对DRAM的存储单元所进行的数据读取便会更为困难，并使数据更易于受到漏电与杂讯噪声的干扰，并且会使得整个系统需要以更高的频率进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基底上制作具有电荷存储电容的存储元件的方法，该方法的步骤包括：提供一晶体管，其具有形成于基底表面上的源／漏极区，并具有形成于基底表面上的一栅电极；在晶体管上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积材料与第一绝缘层不同的第二绝缘层 ；通过第一及第二绝缘层提供第一接触窗，以曝露出晶体管的第一源／漏极区；在第二绝缘层上沉积第一多晶硅层，第一多晶硅层与晶体管的第一源／漏极区电接触；在第一多晶硅层上沉积第三绝缘层，并使第三绝缘层成像，以便提供第二接触窗并曝露出第一 多晶硅层；沉积第二多晶硅层以充填第二接触窗；进行研磨以除去第二多晶硅层的多余部分；除去第三绝缘层...

【技术特征摘要】
1.一种在基底上制作具有电荷存储电容的存储元件的方法，该方法的步骤包括提供一晶体管，其具有形成于基底表面上的源/漏极区，并具有形成于基底表面上的一栅电极；在晶体管上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积材料与第一绝缘层不同的第二绝缘层；通过第一及第二绝缘层提供第一接触窗，以曝露出晶体管的第一源/漏极区；在第二绝缘层上沉积第一多晶硅层，第一多晶硅层与晶体管的第一源/漏极区电接触；在第一多晶硅层上沉积第三绝缘层，并使第三绝缘层成像，以便提供第二接触窗并曝露出第一多晶硅层；沉积第二多晶硅层以充填第二接触窗；进行研磨以除去第二多晶硅层的多余部分；除去第三绝缘层以便曝露出在第一多晶硅之上垂直延伸的一多晶硅超构造，形成电荷存储电容的下电极的至少一部分；在多晶硅超构造与第一多晶硅层上方形成一电介质层；以及沉积第三多晶硅层并形成电荷存储电容的上电极。2.如权利要求1所述的方法，其中第一与第二绝缘层之一包括氧化硅，而第一与第二绝缘层中的另一个包括氮化硅。3.如权利要求2所述的方法，其中第一绝缘层为氧化硅。4.如权利要求1所述的方法，其还包含使第一绝缘层表面平坦化的步骤。5.如权利要求1所述的方法，其中第一接触窗被第一多晶硅层充填。6.如权利要求1所述的方法，其中第三绝缘层使用第二绝缘层作为蚀刻阻挡物而被除去。7.如权利要求5所述的方法，其中第三绝缘层为氧化硅。8.如权利要求7所述的方法，其在沉积第三绝缘层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙世伟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]