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一种在基底上制作具有电荷存储电容的存储元件的方法，包括在形成的晶体管上形成不同材料的第一与第二绝缘层，形成曝露第一源／漏极区的第一接触窗，沉积第一多晶硅层和第三绝缘层，形成第二接触窗并以第二多晶硅层充填，研磨以除去第二多晶硅层的多余部分，除...
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