【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制程，特别是关于一种利用超纯水(deionizedwater)中氢氧自由基清洗晶圆表面的方法。
技术介绍
在半导体制程中，制作集成电路的尺寸越来越小，晶圆上的组件也随之缩小，使得各种有机物、粒子的接触污染及各机台导致的金属杂质等污染物大于或相当于组件尺寸的现象更严重，若在半导体制程中有污染物残留在晶圆表面上，将造成组件短路或缺陷，导致集成电路无法使用，因此，半导体制程中不允许晶圆表面上残留有污染物。污染物的去除是半导体制程中极为重要的技术，以化学方法湿式清洗为晶圆制程中最为有效且成本合理的方法，其中以RCA(英国无线电公司)清洗法最早应用于清洗晶圆。图1为本领域已知的RCA清洗法的流程图，由步骤1开始，以硫酸及过氧化氢混合的硫酸与双氧水的混合(SPM)液体去除晶圆表面的有机物及光阻，然后以超纯水快速浸泡(QDR)晶圆表面，再以超纯水冲洗晶圆，以稀释的氢氟酸去除晶圆表面的自然氧化物，再使用超纯水冲洗晶圆，进行步骤2，其以氨水及过氧化氢混合(代号为SC1)液体去除在晶圆表面的粒子，再使用超纯水冲洗晶圆，进行步骤3，其以盐酸及过氧化氢混合的(...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超纯水中氢氧自由基清洗晶圆表面的方法，用于半导体制程中闸极氧化层或穿隧氧化层生成之前的清洗制程，该方法包括下列步骤以第一液体去除在该晶圆表面的有机物及光阻；使用超纯水快速浸泡该晶圆；使用超纯水冲洗该晶圆；以稀释的氢氟酸去除该晶圆表面的自然氧化物；使用超纯水冲洗该晶圆；以第二液体去除在该晶圆表面的残留粒子；使用超纯水冲洗该晶圆；以第三液体去除在该晶圆表面的金属杂质；使用超纯水冲洗该晶圆；使用一超音波水冲洗该晶圆；以及使该晶圆干燥；其特征在于，该第一、第二及第三液体中至少一个具有氢氧自由基。2.如权利要求1所述的方法，还包括在该具有氢氧自由基的液体中加入碱性液...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄致远，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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