【技术实现步骤摘要】
本专利技术用于存储器的设计，提出了一种用周边电路在NAND闪存芯片上实现类似SRAM的接口，从而在应用上取代更昂贵的NOR闪存。
技术介绍
长期以来，闪存有NAND和NOR两种，不仅记忆单元不同，其接口电路和读写方式亦不同。NAND的读写操作是以大字节(典型的512b)为单位，而NOR采用类似SRAM的读写接口，能进行单位地址的读写，也因为特别适合于嵌入代码的存储，但是NOR记忆单元面积远大于NAND因而成本高昂
技术实现思路
·本专利技术在NAND闪存记忆单元阵列的基础上，设置外围电路，并设计类似SRAM的接口电路，使之表现为N0R，也即实现‘伪N0R’存储器。本专利技术保留了 NAND闪存原有的读写电路，其对于阵列内部的读写操作基本不变。而增加的逻辑电路，既控制芯片的(类似SRAM的)读写接口，也控制对内嵌的NAND的读写操作，在这两者之间则由SRAM或寄存器阵列建立一个缓冲区。附图说明图I是本专利技术的框架图，其中 A是IO控制器；B 是 CACHE ； C是NAND控制器； D是NAND读写电路； E是NAND阵列；F 是 10;G 是 ECC CACHE ； H是ECC控制器。具体实施方案本专利技术的基本功能，原则上可以由传统的NAND控制器，缓冲区，和IO控制电路及IO电路组成。在实际设计中，可以根据性能要求，对NAND控制器部分进行简化，提高吞吐量和其他指标，优化性能，减低成本。权利要求1.一种用周边电路在NAND闪存芯片上实现类似SRAM的接口的存储器设计。2.一种符合权利要求I的设计，其特征在于，在NAND闪存记忆单元阵列的基础上...
【技术保护点】
一种用周边电路在NAND闪存芯片上实现类似SRAM的接口的存储器设计。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁真如，
申请(专利权)人：上海摩晶电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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