The invention discloses a method and a device for controlling NAND Flash controller, according to the NAND Flash layer in the definition of operation timing interface defines a set of registers, register in accordance with the analytical layer group definition decoding, physical implementation layer according to the register set defined layer, realize the specific timing of operation of NAND Flash particles the driver NAND Flash memory interface, so as to realize the NAND Flash particle reading, programming and erasing operation. The invention can meet various manufacturers of the existing various types of NAND particles Flash interface timing, completing the memory read, correct programming and erase operation, because the definition layer can flexibly define a series of registers, will define the definition of the register are combined to produce different types of particles of different timing of operation, without the need to add the hardware circuit, more so, can flexibly adapt to the new features of NAND Flash particles timing of future development.
【技术实现步骤摘要】
一种NANDFlash控制器的控制方法和装置
本专利技术涉及NANDFlash控制器领域,特别涉及一种NANDFlash控制器的控制方法和装置。
技术介绍
随着电子信息社会的飞速发展,数据存储需求量呈现出爆炸式的增长,非易失性存储器NANDFlash闪存具有高容量、高密度、高性能等特点,因此应用愈来愈广泛。要完成对NANDFlash闪存颗粒的正确读、写、擦除操作,需要硬件控制器按照时序接口和操作命令对存储器进行操作。不同NANDFlash颗粒厂商的接口不同,为了统一NANDFlash接口,国际上将其统一为两种类型的接口,一种为ONFI接口,另一种为Toggle接口。每种接口类型又有ONFI2.x和ONFI3.x以及ONFI4.x,Toggle1.0、Toggle2.0不同版本。对这些不同版本接口类型的NAND颗粒都能完成读取、编程、擦除等操作,NANDFlash控制器需要包含所有接口时序控制,才能保证访问不同厂商不同版本接口类型的NAND存储器颗粒。由于对NANDFlash颗粒的操作包括编程、读取、擦除操作,且不同接口协议下操作时序不同。因此对NANDFlash的控制需要包含所有各种类型的编程、读取、擦除时序,且在不同的NANDFlash颗粒厂商(镁光、三星、东芝、海力士...)之间,对于相同的访问操作也会有不同的访问流程。NANDFlash需要完全覆盖所有的不同类型颗粒的读、写、擦除操作及不同操作时序不同的产生,所以还需要添加许多额外的逻辑控制电路完成。如图3所示,不同的接口且每种接口对应的编程、读取、擦除操作时序不同,都需要在控制器中增加控制电路完成相 ...
【技术保护点】
一种NAND Flash控制器的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:定义一系列功能寄存器组,用于操作NAND Flash颗粒接口;所述寄存器组包括通过ARM CPU定义NAND Flash控制器中操作NAND Flash颗粒的时序接口;步骤2:解析步骤1中的寄存器组,得到相应执行指令;步骤3:将解析后的执行指令送至物理实现层,物理实现层实施具体的执行指令,执行所述步骤2中的执行指令,驱动NAND flash接口,按照操作时序控制NAND Flash颗粒。
【技术特征摘要】
1.一种NANDFlash控制器的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:定义一系列功能寄存器组,用于操作NANDFlash颗粒接口;所述寄存器组包括通过ARMCPU定义NANDFlash控制器中操作NANDFlash颗粒的时序接口;步骤2:解析步骤1中的寄存器组,得到相应执行指令;步骤3:将解析后的执行指令送至物理实现层,物理实现层实施具体的执行指令,执行所述步骤2中的执行指令,驱动NANDflash接口,按照操作时序控制NANDFlash颗粒。2.如权利要求1所述的一种NANDFlash控制器的控制方法,其特征在于,所述寄存器组还包括:选择NANDFlash访问接口是异步、ONFI还是Toggle类型,以及不同类型的不同版本的选择;定义NANDFlash控制器中ECC模块对NANDFlash闪存颗粒操作时纠错能力的配置;定义编程数据寄存器接口,用于提供NANDFlash控制器向NANDFlash颗粒所要编程的数据;定义NANDFlash控制器操作NANDFlash颗粒的具体时序指令,包括CE使能哪一颗NANDFlash存储颗粒定义、CLE访问命令定义、ALE访问NANDFlash颗粒地址定义、WE、RE读写控制寄存器定义以及ONFI和Toggle类型下驱动数据读写采样的DQS信号定义。3.一种NANDFlash控制器的控制装置,其特征在于,包括依次相连的定义层模块、解析层模块、物理实现层模块、NANDFlash接口模块,所有模块均采用全数字逻辑电路实现;所述定义层模块:用于定义NANDFlash控制器操作NANDFlash颗粒的具体时序指令,配置NANDFlash接口寄存器、ECC...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨燕,李英祥,余乐韬,
申请(专利权)人:成都信息工程大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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