【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器储存装置的错误处理方法,且尤其涉及一种处理写入失败的方法与实行该方法的存储器储存装置与存储器控制器。
技术介绍
闪速存储器(Flash Memory)具有数据非易失性、省电、体积小与无机械结构等特性,故被广泛地应用于各种电子装置。市面上如记忆卡、随身碟或固态硬盘等储存装置也是以闪速存储器作为其中的储存媒体。图I是传统闪速存储器储存装置的概要方框图。如图I所示,主机系统110是通过 连接器121与闪速存储器储存装置120耦接,从而读取储存在闪速存储器储存装置120中的数据,或将数据写入至闪速存储器储存装置120。一般来说,当主机系统110要将数据写入闪速存储器储存装置120时,所欲写入的数据会先被写入存储器控制器123的缓冲存储器1231。接着,存储器控制器123将缓冲存储器1231中的数据传送至闪速存储器芯片125的缓冲区1251,并命令闪速存储器芯片125将缓冲区1251中的数据写入至存储单元1253。在闪速存储器芯片125将表示数据已被正确写入存储单元1253的信息回复给存储器控制器123之后,存储器控制器123才会通知主机系统110 ...
【技术保护点】
一种数据写入方法,用于一存储器储存装置,该存储器储存装置包括一缓冲存储器与一可复写式非易失性存储器芯片,该可复写式非易失性存储器芯片包括一缓存单元与多个实体区块,该方法包括:将接收自一主机系统的一第一数据暂存至该缓冲存储器;利用一第一数据传输指令将该缓冲存储器中的该第一数据传送至该缓存单元后,产生一写入完成信息用以提供给该主机系统;将该缓存单元中的该第一数据写入至该些实体区块中的一第一实体区块;判断该缓存单元中的该第一数据写入至该第一实体区块是否失败;以及若是,则利用一第二数据传输指令,将保留在该缓存单元的该第一数据写入至该些实体区块中的一第二实体区块,其中该第一数据传输指 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赵伟程,
申请(专利权)人:群联电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。